基于活性層摻雜的有機(jī)薄膜晶體管制備及其介電層修飾的研究
本文關(guān)鍵詞:基于活性層摻雜的有機(jī)薄膜晶體管制備及其介電層修飾的研究
更多相關(guān)文章: 有機(jī)薄膜器件 晶體管 活性層摻雜 絕緣層
【摘要】:當(dāng)今時(shí)代科學(xué)技術(shù)發(fā)展日新月異,科研領(lǐng)域和發(fā)明成果不斷推陳出新,有機(jī)薄膜晶體管技術(shù)因其輕便化、集成化、節(jié)能化、高效能將成為未來(lái)發(fā)展主流,正受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。有機(jī)薄膜晶體管的技術(shù)研究以高性能為攻堅(jiān)目標(biāo),有機(jī)材料技術(shù)的衍生性和可能性使其擁有巨大的可能性,因此本文的主要工作是探究通過(guò)傳統(tǒng)工藝技術(shù)和新型有機(jī)薄膜材料制備高性能有機(jī)薄膜晶體管。本文主要內(nèi)容,首先研究證明性能良好的活性層聚合物分子與小分子材料互相摻雜制備有機(jī)薄膜器件,當(dāng)摻雜濃度合適時(shí)器件性能可以得到遷移率兩個(gè)數(shù)量級(jí)提升,開(kāi)關(guān)比一個(gè)數(shù)量級(jí)提升,推出了小分子和聚合物摻雜成膜的模型來(lái)解釋出摻雜薄膜表面形貌隨濃度影響器件載流子遷移率等器件性能。其次詳細(xì)研究有機(jī)薄膜器件活性層在不同退火條件下對(duì)有機(jī)薄膜晶體管器件性能和表面形貌的影響。得到小分子材料在高溫下快速退火制備的器件擁有更平整的薄膜從而促進(jìn)載流子的傳輸,電學(xué)性質(zhì)較高,同時(shí)隨著退火時(shí)間增加性能減弱;聚合物材料退火時(shí)熱穩(wěn)定性更高,在不同退火下電學(xué)性質(zhì)變化不大。最后研究了三種常見(jiàn)的絕緣層材料包括OTS、PMMA與PS,經(jīng)測(cè)試未經(jīng)過(guò)修飾器件遷移率僅為0.0009cm2/Vs,開(kāi)關(guān)比100,加入OTS和PMMA修飾絕緣層后,器件性能提高,且三種柵介電層材料均可以改善界面間成膜形貌,提升載流子傳輸,從而得到提升電學(xué)性能。同時(shí)證明了良好的半導(dǎo)體層與絕緣層之間的界面形貌會(huì)極大提高器件性能,通過(guò)改善柵介電層的成膜平整度與粗糙度可以有效提升其上活性層的成膜形貌。
【關(guān)鍵詞】:有機(jī)薄膜器件 晶體管 活性層摻雜 絕緣層
【學(xué)位授予單位】:南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN321.5
【目錄】:
- 摘要4-5
- Abstract5-7
- 第一章 緒論7-17
- 1.1 引言7-8
- 1.2 有機(jī)薄膜器件的最新進(jìn)展8-9
- 1.3 有機(jī)薄膜晶體管9-15
- 1.3.1 有機(jī)薄膜晶體管的發(fā)展歷程9-10
- 1.3.2 有機(jī)薄膜晶體管的基本結(jié)構(gòu)10-11
- 1.3.3 有機(jī)薄膜晶體管的工作原理11-12
- 1.3.4 有機(jī)薄膜晶體管的性能指標(biāo)與計(jì)算12
- 1.3.5 有機(jī)薄膜晶體管的主要材料12-15
- 1.4 課題的提出及研究意義15-17
- 第二章 基于活性層摻雜的有機(jī)薄膜晶體管制備17-32
- 2.1 引言17-18
- 2.2 有機(jī)薄膜晶體管的制備18-23
- 2.2.1 藥品及儀器設(shè)備18-19
- 2.2.2 器件結(jié)構(gòu)19-21
- 2.2.3 制備工藝流程21-23
- 2.3 性能測(cè)試23-28
- 2.3.1 活性層不同比例摻雜下測(cè)試結(jié)果25-27
- 2.3.2 不同比例摻雜下結(jié)晶形貌的分析27-28
- 2.4 活性層退火方式對(duì)器件性能的影響28-31
- 2.4.1 制備工藝流程與分析28-29
- 2.4.2 不同退火方式下制備的器件性能分析29-30
- 2.4.3 不同退火方式下生長(zhǎng)的活性層形貌分析30-31
- 2.5 本章小結(jié)31-32
- 第三章 有機(jī)薄膜晶體管絕緣層界面的修飾研究32-40
- 3.1 自組裝OTS的無(wú)機(jī)氧化物絕緣層界面修飾32-35
- 3.1.1 器件結(jié)構(gòu)33
- 3.1.2 性能測(cè)試與分析33-35
- 3.2 絕緣材料PMMA的絕緣層界面修飾35-36
- 3.2.1 器件結(jié)構(gòu)35
- 3.2.2 性能測(cè)試與分析35-36
- 3.3 絕緣材料PS的絕緣層界面修飾36-38
- 3.3.1 器件結(jié)構(gòu)37
- 3.3.2 性能測(cè)試與分析37-38
- 3.4 本章小結(jié)38-40
- 第四章 總結(jié)與展望40-41
- 參考文獻(xiàn)41-46
- 附錄1 攻讀碩士學(xué)位期間申請(qǐng)的專利46-47
- 附錄2 攻讀碩士學(xué)位期間參加的科研項(xiàng)目47-48
- 致謝48-49
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