基于嵌入式的晶圓類型測試系統(tǒng)研制
本文關(guān)鍵詞:基于嵌入式的晶圓類型測試系統(tǒng)研制
更多相關(guān)文章: 導電類型 嵌入式 冷熱探針法 測試系統(tǒng) PID算法
【摘要】:目前,晶圓導電類型測試設備大多為模擬式,可視化程度較低,不便于后續(xù)開發(fā),并且功能上局限于對導電類型的區(qū)分。針對這一現(xiàn)狀研制了一種采用冷熱探針法基于32位ARM處理器的晶圓類型測試系統(tǒng),在測量導電類型的基礎之上擴展了不同晶圓溫差電流隨溫差變化規(guī)律的測試和在相同條件下區(qū)分同種摻雜類型不同摻雜濃度的晶圓兩個功能。測試系統(tǒng)硬件主要包括主控模塊、溫差電流檢測模塊、熱探針溫度測控模塊、顯示模塊、電源模塊、參考電壓模塊等幾個部分。選用32位ARM處理器STM32F103ZET6作為主控芯片,通過設計相應的外圍電路,芯片的內(nèi)部資源ADC、定時器、PWM等得到了充分利用,有效降低了系統(tǒng)的復雜程度;溫差電流檢測模塊以高精度的儀表放大器INA114為核心器件進行放大電路的設計,經(jīng)過測試校準后溫差電流檢測模塊的有效檢測范圍為-130nA至+160nA,并且在-96nA至+117nA之間具有良好的線性;熱探針的溫度檢測部分采用Pt1000熱敏電阻作為溫度傳感器,可測控熱探針的內(nèi)部溫度達到了170℃,采用經(jīng)典的PID算法實現(xiàn)對熱探針的溫度控制,在設置針尖溫度60℃時(內(nèi)部145℃),可以在五分鐘左右達到穩(wěn)定,穩(wěn)定后的溫度波動在0.5℃以內(nèi)。軟件方面通過模塊化方式進行處理,使用C語言進行程序的編寫并實現(xiàn)了10.4寸液晶顯示屏的控制、觸摸屏的輸入、內(nèi)部AD操作、串口通信、溫差電流的采集、熱探針溫度的采集、冷探針溫度的采集等功能。在調(diào)試好各模塊的程序后,通過主程序完成整個測試系統(tǒng)的邏輯功能和對各個子程序的分時調(diào)用,整個程序運行穩(wěn)定。根據(jù)系統(tǒng)需求,設計了內(nèi)熱式的熱探針并制作了測試儀樣機,實現(xiàn)了預期功能,并且運行穩(wěn)定可靠。測試系統(tǒng)具有實時顯示相關(guān)曲線、靈活簡單的觸摸控制、可進行后續(xù)開發(fā)、數(shù)字化等優(yōu)點,具有較強的實際應用價值。
【關(guān)鍵詞】:導電類型 嵌入式 冷熱探針法 測試系統(tǒng) PID算法
【學位授予單位】:哈爾濱理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TN307
【目錄】:
- 摘要5-6
- Abstract6-10
- 第1章 緒論10-15
- 1.1 課題研究背景10-11
- 1.2 半導體材料概述11
- 1.3 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀11-13
- 1.3.1 晶圓測試技術(shù)研究現(xiàn)狀11-12
- 1.3.2 晶圓測試技術(shù)主要研究成果12-13
- 1.4 課題研究的目的及意義13
- 1.5 主要研究內(nèi)容13-15
- 第2章 測試系統(tǒng)工作原理15-21
- 2.1 塞貝克效應15-16
- 2.2 導電類型測量方法16-19
- 2.2.1 冷熱探針法16-17
- 2.2.2 單探針點接觸整流法和三探針法17-19
- 2.3 溫差電動勢和溫差電流19-20
- 2.4 本章小結(jié)20-21
- 第3章 系統(tǒng)硬件設計21-37
- 3.1 嵌入式發(fā)展背景21
- 3.2 總體設計21-23
- 3.2.1 硬件模塊劃分21-22
- 3.2.2 微處理器選型22-23
- 3.3 冷熱探筆設計23-24
- 3.4 溫差電流采集電路設計24-29
- 3.4.1 電流-電壓轉(zhuǎn)換電路設計24-25
- 3.4.2 第一級放大電路設計25-26
- 3.4.3 第二級放大電路和加法電路設計26-27
- 3.4.4 低通濾波電路設計27-29
- 3.5 熱探針溫度測控電路設計29-31
- 3.5.1 恒流源電路設計29-30
- 3.5.2 放大電路和減法電路設計30
- 3.5.3 加熱控制模塊電路設計30-31
- 3.6 串口通信電路設計31-32
- 3.7 冷探針溫度采集電路設計32
- 3.8 電源電路設計32-34
- 3.9 印刷電路板設計34-36
- 3.10 本章小結(jié)36-37
- 第4章 系統(tǒng)軟件設計37-43
- 4.1 軟件開發(fā)環(huán)境介紹37-38
- 4.2 主程序設計38-39
- 4.3 各模塊程序設計39-42
- 4.3.1 溫度控制程序設計39-40
- 4.3.2 模數(shù)轉(zhuǎn)換程序設計40-41
- 4.3.3 串口通信程序設計41-42
- 4.4 本章小結(jié)42-43
- 第5章 調(diào)試及測試結(jié)果與分析43-54
- 5.1 溫度傳感器調(diào)試43-45
- 5.1.1 冷探針溫度調(diào)試43-44
- 5.1.2 熱探針溫度調(diào)試44-45
- 5.2 熱探針端點溫度與內(nèi)部溫度關(guān)系45-47
- 5.3 溫差電流檢測電路的調(diào)試47-49
- 5.4 PID參數(shù)整定49
- 5.5 測試系統(tǒng)樣機49-51
- 5.6 標準片測試與分析51-53
- 5.6.1 溫差電流隨溫差變化的規(guī)律51-52
- 5.6.2 區(qū)分同種摻雜類型晶圓52-53
- 5.7 本章小結(jié)53-54
- 結(jié)論54-55
- 參考文獻55-59
- 攻讀碩士學位期間所發(fā)表的學術(shù)論文59-60
- 致謝60
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前9條
1 勵翠云;韋光宇;余慶選;;半導體外延材料導電類型及載流子濃度的簡易判定法[J];上海金屬.有色分冊;1993年03期
2 孟慶印;;復合管和它的輸入電阻[J];曲阜師范大學學報(自然科學版);1987年03期
3 齊鳴,羅晉生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高橋清,德光永輔,小長井誠;碳摻雜In_xGa_(1-x)As的MOMBE生長與特性[J];半導體學報;1993年07期
4 ;集成電路基體的制造方法[J];儀器儀表通訊;1971年05期
5 辛志君;由透過率測量HgCdTe的導電類型載流子濃度及吸收截面[J];紅外研究(A輯);1986年05期
6 張繼榮;;DLY-2型P-N導電類型鑒別儀校準方法[J];工業(yè)計量;2012年S2期
7 張國強,嚴榮良,,羅來會,余學峰,任迪遠,趙元富,胡浴紅;注F CC4007電路的電離輻射效應[J];半導體學報;1996年01期
8 王琨;晏敏;黃會雄;侯志春;李旭;劉滔;;半導體材料電阻率與導電類型測試儀的研制[J];國外電子測量技術(shù);2008年09期
9 ;[J];;年期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 蓋艷琴;姚斌;范希武;;表面水吸附對p型ZnO電學性質(zhì)影響的第一性原理研究[A];第11屆全國發(fā)光學學術(shù)會議論文摘要集[C];2007年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前6條
1 馮聚萌;基于嵌入式的晶圓類型測試系統(tǒng)研制[D];哈爾濱理工大學;2016年
2 董斌華;熱處理條件對CuInS_2薄膜性能的影響[D];內(nèi)蒙古大學;2012年
3 王杰;銅在氧化鋅中的摻雜行為及其對薄膜性能的影響[D];吉林大學;2013年
4 夏中秋;ZnTe及稀土摻雜ZnTe電子結(jié)構(gòu)和電學性質(zhì)的研究[D];內(nèi)蒙古大學;2012年
5 李忠賢;稀土摻雜ZnTe納米薄膜制備及特性研究[D];內(nèi)蒙古大學;2009年
6 趙興亮;Mn、Co、Al摻雜SiC薄膜制備及其光敏性質(zhì)研究[D];天津理工大學;2010年
本文編號:525853
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/525853.html