本文關(guān)鍵詞：氧化鋅薄膜晶體管電性能的溫度特性

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【摘要】：采用射頻磁控濺射法成功制備了Zn O薄膜晶體管(Zn O-TFT),研究了Zn O-TFT電學(xué)性能的溫度依賴性及其影響機(jī)理。從室溫27℃到210℃的變化范圍,隨著器件溫度的升高,Zn O-TFT的開關(guān)電流比和閾值電壓都有明顯的減小,亞閾值擺幅明顯升高,有效場(chǎng)效應(yīng)遷移率先增加再逐漸減小。電性能的變化主要來源于因溫度升高引起的溝道有源層載流子濃度增加,點(diǎn)缺陷的形成,界面散射增強(qiáng)等多種因素復(fù)合作用所致。另外,當(dāng)器件溫度逐漸冷卻至初始溫度過程,器件的電特性與升溫前存在一定的遲豫現(xiàn)象,這主要是由于升溫期間Zn O薄膜有源層中產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷(氧空位和間隙氧原子),以及被缺陷態(tài)陷阱的電子需要較長(zhǎng)時(shí)間通過復(fù)合而消失。
【作者單位】： 汕尾職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子信息系;華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院;華南理工大學(xué)國(guó)家移動(dòng)超聲探測(cè)工程技術(shù)研究中心;
【關(guān)鍵詞】： 薄膜晶體管 氧化鋅 電特性 溫度特性
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61076113)
【分類號(hào)】：TN321.5
【正文快照】： 0引言近年來,隨著陰極射線管顯示器(CRT)逐漸淡出顯示器市場(chǎng),如今,平板顯示器已成為顯示器市場(chǎng)的主流。目前,平板顯示器主要包括有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)和有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)。對(duì)于有源矩陣平板顯示器而言,薄膜晶體管(TFT)器件對(duì)平板顯示器的性能起到至

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