本文關(guān)鍵詞：溫度對(duì)壓接型IGBT器件內(nèi)部接觸熱阻的影響

  更多相關(guān)文章： 壓接型IGBT器件 接觸熱阻 有限元模型 單個(gè)FRD芯片子模組 溫度

【摘要】：溫度是功率半導(dǎo)體器件備受關(guān)注的問題,不僅直接影響功率半導(dǎo)體器件的電氣性能,而且還間接影響功率半導(dǎo)體器件的熱學(xué)和機(jī)械特性。壓接型IGBT器件內(nèi)部是電磁場(chǎng)、溫度場(chǎng)和結(jié)構(gòu)場(chǎng)的多物理量耦合場(chǎng),器件內(nèi)部各組件間的接觸熱阻是溫度場(chǎng)與結(jié)構(gòu)場(chǎng)雙向耦合的重要橋梁,也是器件可靠性的重要影響因素。通過單芯片子模組有限元模型分析了各組件間的接觸熱阻,重點(diǎn)研究了溫度對(duì)接觸熱阻的影響,計(jì)算了熱阻測(cè)量前后的接觸熱阻值,并進(jìn)行了對(duì)比。鑒于目前接觸熱阻測(cè)量方法的局限性,通過測(cè)量單個(gè)快恢復(fù)二極管(FRD)芯片子模組結(jié)到殼熱阻值與溫度的變化關(guān)系間接得到接觸熱阻與溫度的關(guān)系,并對(duì)有限元計(jì)算結(jié)果進(jìn)行了驗(yàn)證。
【作者單位】： 華北電力大學(xué)新能源電力系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;
【關(guān)鍵詞】： 壓接型IGBT器件 接觸熱阻 有限元模型 單個(gè)FRD芯片子模組 溫度
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51477048) 國家能源應(yīng)用技術(shù)研究及工程示范項(xiàng)目(NY20150705) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助(2016XS04) 國家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目(5455GB160006)
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 本文基于接觸熱阻的理論計(jì)算模型研究了壓接0引言型IGBT器件內(nèi)部各組件界面間的接觸熱阻,重點(diǎn)研壓接型IGBT器件相比傳統(tǒng)焊接式IGBT模塊究了溫度對(duì)壓接型IGBT器件內(nèi)部各組件間接觸熱阻具有功率密度大、雙面散熱、易于串聯(lián)及可靠性高的影響,最終通過單芯片子模組進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

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3 杜鵬英;任國海;杜少武;劉正之;;基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2006年03期

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1 楊玲玲;新型IGBT器件的設(shè)計(jì)與建模[D];廈門大學(xué);2009年

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本文編號(hào)：517802