本文關(guān)鍵詞：鋁柵去除速率控制機(jī)理

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【摘要】：后形成柵極(RMG)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是實現(xiàn)高k介質(zhì)/金屬柵的關(guān)鍵,決定了芯片上器件的可靠性。高去除速率、速率可控性與抑制電化學(xué)腐蝕是RMG平坦化拋光液的核心挑戰(zhàn)。通過研究氧化劑、FA/OⅡ螯合劑和SiO_2磨料之間的配比,來控制自鈍化、絡(luò)合溶解及傳質(zhì)三個過程的動態(tài)平衡,實現(xiàn)高去除速率及速率可控性。實驗結(jié)果表明,氧化劑體積分?jǐn)?shù)和FA/OⅡ螯合劑體積分?jǐn)?shù)之比為4∶3、SiO_2磨料質(zhì)量分?jǐn)?shù)為24%時,鋁柵CMP的自鈍化、絡(luò)合溶解及傳質(zhì)三個過程之間基本達(dá)到平衡,獲得了較高的去除速率和較佳的表面粗糙度,分別為286.2 nm/min和12.83 nm。按照該比例成倍加入三種化學(xué)試劑,達(dá)到了速率可控的目的。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 后形成柵極(RMG) 鋁柵 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP) 去除速率 拋光液
【基金】：國家中長期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專項資助項目(2009ZX02308) 河北省教育廳基金資助項目(QN2014208)
【分類號】：TN305.2
【正文快照】： 0引言晶體管的尺寸與功能完善性直接影響芯片的集成度與性能,隨著CMOS晶體管器件尺寸按照摩爾定律比例不斷縮小,為獲得高性能、低功耗、高集成度的晶體管器件,45 nm及以下的CMOS制造工藝已采用高k介質(zhì)/金屬柵(HKMG)結(jié)構(gòu),代替了SiON/多晶硅柵結(jié)構(gòu)。制備HKMG結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)是后

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本文編號：516101