本文關(guān)鍵詞：協(xié)同輸入向量控制與門替換技術(shù)緩解電路NBTI老化

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【摘要】：針對(duì)現(xiàn)有選取方法直接以輸入向量控制(IVC)產(chǎn)生電路最小時(shí)延為目標(biāo),不能有效地發(fā)揮門替換(GR)技術(shù)優(yōu)勢(shì)的問題,提出一種輸入控制向量選取方法,用于協(xié)同IVC和GR技術(shù)緩解電路負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI)老化的方案.首先以IVC可控制關(guān)鍵門輸入引腳為邏輯1的數(shù)量最大為目標(biāo),從備選向量集中選取最優(yōu)輸入控制向量,用于電路的輸入控制;然后對(duì)不能通過最優(yōu)輸入控制向量控制為邏輯1的關(guān)鍵門輸入引腳,分析其GR可防護(hù)性,對(duì)GR可防護(hù)的輸入引腳的驅(qū)動(dòng)門實(shí)施門替換.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,與現(xiàn)有選取方法相比,文中方案可平均提高電路時(shí)延退化改善率7.56%,相對(duì)提升達(dá)到32.64%,同時(shí),需要付出的附加面積開銷和附加固有時(shí)延開銷還略有降低.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;合肥工業(yè)大學(xué)計(jì)算機(jī)與信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性 輸入向量控制 最優(yōu)輸入控制向量 門替換 協(xié)同
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61371025,61274036,61574052,61474036)
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(negative bias temperatureinstability,NBTI)表現(xiàn)為PMOS晶體管負(fù)偏置條件下閾值電壓(Vth)隨時(shí)間增加而上升,進(jìn)而引起CMOS門傳輸延遲變大,導(dǎo)致電路時(shí)序違規(guī)而失效.隨著半導(dǎo)工藝尺寸的不斷減小,NBTI效應(yīng)導(dǎo)致的時(shí)延退化已成為影響CMOS集成電路可靠性主要因素

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：512920