本文關(guān)鍵詞：多周期InGaAs量子點點陣與點鏈形貌研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：通過分子束外延生長方法,在GaAs(001)襯底上制備生長12周期,16周期,20周期的InGaAs/GaAs量子點,分析了多周期生長的InGaAs/GaAs量子點在16周期下出現(xiàn)較好分布的機理。以及在生長16周期的InGaAs/GaAs量子點下,分析了未退火和退火的初始表面對于量子點分布的影響,未退火處理的襯底生長的InGaAs/GaAs量子點分布更加均勻且有序,量子鏈延伸得更長。
【作者單位】： 貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院;貴州財經(jīng)大學(xué)計算機信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 量子點 掃描隧道顯微鏡 表面張力 分子束外延
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61564002) 貴州省自然科學(xué)基金項目(黔科合J字[2013]2114號,黔科合J字[2014]2046號) 貴州省教育廳自然科學(xué)研究項目(黔科合KY字[2014]265號)
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體器件的研究已經(jīng)進入到納米水平,圍繞以量子阱、量子線、量子點等低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的研究是目前半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域研究的熱點之一。量子點、量子鏈等低維半導(dǎo)體器件目前雖然還未得到大量的實際應(yīng)用,但是它有可能是下一代高性能光電子

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本文編號：502241