本文關(guān)鍵詞：IGBT測(cè)試系統(tǒng)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：為實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT大功率管導(dǎo)通電流、導(dǎo)通電壓、脈沖電流等參數(shù)的檢測(cè),制作了此測(cè)試系統(tǒng),解決了此類大功率器件的測(cè)試問題。該測(cè)試儀利用了脈沖發(fā)生器參數(shù)觸發(fā)脈沖,通過IGBT驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行信號(hào)放大,驅(qū)動(dòng)需檢測(cè)的IGBT管,再通過高壓源提供工作電流,使IGBT管處于開關(guān)狀態(tài)。利用示波器采集IGBT管的導(dǎo)通電流和電壓,實(shí)現(xiàn)IGBT管大電壓大電流采集檢測(cè)工作。
【作者單位】： 西南計(jì)算機(jī)有限責(zé)任公司;
【關(guān)鍵詞】： IGBT 脈沖發(fā)生器 驅(qū)動(dòng)電路
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 0引言絕緣柵雙極型晶體管即IGBT(Insulated Gate Bi-polar Transistor),是由BJT(雙極型三級(jí)管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低、載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率

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