本文關(guān)鍵詞：雙極結(jié)型晶體管的集電結(jié)反向雪崩擊穿特性，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：通過氣體放電產(chǎn)生更高濃度的低溫等離子體要求具有納秒上升沿和納秒脈寬的高重頻快脈沖,而目前被廣泛使用的MOSFET和IGBT都無法滿足這些參數(shù)要求,而雙極結(jié)型晶體管(BJT)的集電極與發(fā)射極之間的雪崩擊穿過程具有快導通、快恢復、高穩(wěn)定性等優(yōu)點,適合作為小型Marx發(fā)生器的自擊穿開關(guān)。文中對用多種型號的BJT進行擊穿特性比較測試實驗,發(fā)現(xiàn)可以通過改變BJT的門極和發(fā)射極的并聯(lián)電阻來調(diào)節(jié)其雪崩擊穿電壓,實現(xiàn)一定范圍的工作電壓。雪崩擊穿恢復特性實驗表明,當擊穿電流衰減到低于維持電流時,BJT就會開始恢復絕緣而關(guān)斷,通過改變電路中的參數(shù)以控制擊穿電流的變化就可以控制BJT的雪崩擊穿導通時間(即導通脈寬)。將這些結(jié)論應用到實際電路中,可獲得上升沿5ns、脈寬為10ns、幅值2kV、重復頻率高達100kHz的納秒快脈沖,可用于激發(fā)高濃度低溫等離子體。
【作者單位】： 上海理工大學光電信息與計算機工程學院;
【關(guān)鍵詞】： 雙極結(jié)型晶體管 脈沖功率 雪崩擊穿 Marx發(fā)生器 快脈沖
【基金】：上海市自然科學基金項目(13ZR1428100) 上海市科技英才揚帆計劃項目(15YF1408300)
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 近年來低溫等離子體在很多工業(yè)領(lǐng)域的應用越來越廣泛,比如材料表面改性[1]、廢水廢氣處理[2]、準分子激光器[3]、臭氧發(fā)生[4]、等離子體顯示屏[5]等,而產(chǎn)生低溫等離子體的最常用的方法就是高壓氣體放電,而脈沖放電更容易產(chǎn)生高濃度的低溫等離子體,尤其是具有快速上升沿的高壓

【相似文獻】

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  本文關(guān)鍵詞：雙極結(jié)型晶體管的集電結(jié)反向雪崩擊穿特性，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：489154