單晶SiC基片的銅基研磨盤加工特性研究!
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【摘要】:采用銅基螺旋槽研磨盤對6H SiC單晶基片的Si面和C面進行了單面研磨加工,研究研磨壓力、研磨盤轉速和金剛石磨粒尺寸對SiC基片材料去除率和表面粗糙度的影響。結果表明,單晶SiC的C面和Si面具有明顯的差異性,C面更易加工,其材料去除率比Si面大。研磨壓力是影響材料去除率和表面粗糙度的主要原因,研磨壓力越大,材料去除率越高,但同時表面粗糙度變大,較大的研磨壓力會導致劃痕的產(chǎn)生。在達到最佳表面粗糙度時,C面加工所需的轉速比Si面大。磨粒團聚會嚴重影響加工表面質量,采用粒度尺寸3μm的金剛石磨料比采用粒度尺寸1μm的金剛石效果好,經(jīng)粒度尺寸3μm的金剛石磨料研磨加工5 min后,Si面從原始粗糙度Ra130 nm下降到Ra5.20 nm,C面下降到Ra5.49 nm,表面質量較好。
【作者單位】: 廣東工業(yè)大學機電工程學院;
【關鍵詞】: H SiC基片 金剛石磨料 銅基研磨盤 表面質量
【基金】:國家自然科學基金(51375097和51305082) 廣東省自然科學基金重點項目(2015A030311044)
【分類號】:TN305.2
【正文快照】: 單晶Si C是繼Ge和Si之后發(fā)展起來的第三代半導體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高和抗輻射能力強等優(yōu)點,常被用于高溫高頻、大功率、抗輻射及光電集成等器件的制造中,是一種理想的襯底材料,廣泛用在航空航天、雷達、通信系統(tǒng)等極端環(huán)境中[1]。單晶Si C應用于外
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