本文關(guān)鍵詞：硅基半導(dǎo)體多場耦合下的光傳輸及電調(diào)控特性分析，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：針對硅基半導(dǎo)體電光熱多場耦合特性及電調(diào)控問題,引入泊松方程和載流子連續(xù)性方程來計(jì)算載流子輸運(yùn)過程的濃度分布,利用德魯?shù)?洛倫茲公式和K-K關(guān)系式考慮載流子濃度變化對于光折射率和吸收系數(shù)的影響,并根據(jù)電磁耗散求解熱沉積項(xiàng)。通過對半導(dǎo)體基本方程、電磁波動方程和能量方程的耦合方程組進(jìn)行有限元求解,模擬并分析了電光熱三者耦合作用下硅基半導(dǎo)體介電屬性及光傳輸行為隨外加電壓、載流子初始濃度、換熱系數(shù)等影響因素的變化規(guī)律。研究指出了半導(dǎo)體P區(qū)表面反射光電場模隨外加電壓的降低而升高,隨換熱系數(shù)的增大而降低的規(guī)律。利用該機(jī)制給出了對反射光強(qiáng)空間分布進(jìn)行電熱調(diào)控的方案。
【作者單位】： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)能源學(xué)院;中國空間技術(shù)研究院第508研究所;中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 硅基半導(dǎo)體 載流子濃度 熱光效應(yīng) 電光效應(yīng) 電熱調(diào)控
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51176039,51576054)資助項(xiàng)目
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： 1引言硅基電光調(diào)制在濾波器、調(diào)制器、復(fù)用/解復(fù)用器、可重構(gòu)光插分復(fù)用器、波長轉(zhuǎn)換器、光開關(guān)等光電器件中有著廣泛的應(yīng)用。由于硅具有易集成、低成本以及大容量等特點(diǎn),近年來已經(jīng)逐漸取代鈮酸鋰(Li Nb O3)成為制造電光器件的主要材料。已有研究證明,溫度是影響光束傳輸質(zhì)量

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5 滕利華;丁必鋒;劉曉東;賴天樹;;GaAs中載流子馳豫動力學(xué)的理論與實(shí)驗(yàn)研究[A];中國光學(xué)學(xué)會2006年學(xué)術(shù)大會論文摘要集[C];2006年

6 葛瑞萍;韓平;吳軍;俞斐;趙紅;謝自力;張榮;鄭有p

本文編號：484407