本文關鍵詞：硼摻雜金剛石薄膜同質外延生長及肖特基勢壘二極管制備，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用微波等離子體氣相沉積(MPCVD)在商用3mm×3mm×1 mm高溫高壓合成(HPHT)Ib型(100)金剛石襯底上同質外延生長B摻雜金剛石薄膜,并在此材料的基礎上用磁控濺射和電子束蒸鍍技術制備了不同結構參數(shù)金剛石肖特基勢壘二極管。測試結果表明:所生長的金剛石薄膜表面非常平整,可以看到比較明顯的原子臺階;所制備的器件具有明顯的整流特性,肖特基電極直徑100μm,肖特基電極和歐姆電極間距10μm,外加電壓-15V,300K時測得器件正向導通電阻20Ω,反向飽和電流近似為10-6 A,反向擊穿電壓大約103.5V;電極間距越大,反向擊穿電壓越高,器件正向電流越小。
【作者單位】： 西安交通大學陜西省信息光電子技術重點實驗室;陜西科技大學理學院;中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室;西安科技大學電氣與控制工程學院;
【關鍵詞】： 材料 金剛石薄膜 微波等離子體化學氣相沉積 肖特基勢壘二極管
【基金】：2015年陜西省教育廳專項科研計劃(15JK1096)
【分類號】：TN311.7
【正文快照】：

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本文編號：480027