本文關(guān)鍵詞：片上制備橫向結(jié)構(gòu)ZnO納米線陣列紫外探測(cè)器件，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：將納米技術(shù)與傳統(tǒng)的微電子工藝相結(jié)合,片上制備了橫向結(jié)構(gòu)氧化鋅(Zn O)納米線陣列紫外探測(cè)器件,納米線由水熱法直接自組織橫向生長(zhǎng)于叉指電極之間,再除去斜向的多余納米線,其余工藝步驟與傳統(tǒng)工藝相同.分別嘗試了鉻(Cr)和金(Au)兩種金屬電極的器件結(jié)構(gòu):由于Cr電極對(duì)其上縱向生長(zhǎng)的納米線有抑制作用,導(dǎo)致橫向生長(zhǎng)納米線長(zhǎng)度可到達(dá)對(duì)側(cè)電極,光電響應(yīng)方式為受表面氧離子吸附控制的光電導(dǎo)效應(yīng),光電流大但增益低,響應(yīng)速度慢,經(jīng)二次電極加固,納米線根部與電極金屬直接形成肖特基接觸,光電響應(yīng)方式變?yōu)楣夥?yīng),增益和速度得到了極大改善;由于Au電極對(duì)其上縱向生長(zhǎng)的納米線有催化作用,導(dǎo)致溶質(zhì)資源的競(jìng)爭(zhēng),相同時(shí)間內(nèi)橫向生長(zhǎng)的納米線不能到達(dá)對(duì)側(cè),而是交叉橋接,但卻形成了紫外光誘導(dǎo)的納米線間勢(shì)壘結(jié)高度調(diào)控機(jī)理,得到的器件特性為最優(yōu),在波長(zhǎng)為365 nm的20 mW/cm~2紫外光照下,1 V電壓時(shí)暗電流為10~(-9)A,光增益可達(dá)8×10~5,響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間分別為1.1 s和1.3 s.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 紫外探測(cè)器 ZnO納米線陣列 橫向生長(zhǎng) 光生載流子
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):11204009) 北京市自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):4142005) 科研基地建設(shè)-科技創(chuàng)新平臺(tái)-空氣質(zhì)量環(huán)境監(jiān)測(cè)與大數(shù)據(jù)處理(批準(zhǔn)號(hào):JJ002790201502)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TN23;TB383.1
【正文快照】： 統(tǒng)的Zn O納米線陣列結(jié)構(gòu)器件的制作大部分是基1引言于垂直生長(zhǎng)的Zn O納米線陣列,但是垂直結(jié)構(gòu)的納米器件不僅不能充分利用納米線比表面積大的Zn O由于具有大的禁帶寬度(Eg=3.37 eV),特點(diǎn),還存在納米線之間絕緣物質(zhì)填充、電極的制在紫外光電探測(cè)器件方面具有較好的應(yīng)用前景,而

【相似文獻(xiàn)】

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1 王敬,熊貴光;金屬納米線陣列的光學(xué)非線性增強(qiáng)因子的分析和計(jì)算[J];光子學(xué)報(bào);2004年02期

2 牛宇然;張輝;陳子瑜;黃沛霖;武哲;;鈷鉑納米線陣列的制備與性能研究[J];電子顯微學(xué)報(bào);2006年06期

3 陳東;宋國(guó)君;彭智;佘希林;李建江;韓萍;;簡(jiǎn)單蝕刻法制備具有可控高度的金屬納米線陣列[J];功能材料與器件學(xué)報(bào);2007年04期

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本文編號(hào)：476418