本文關(guān)鍵詞：臺積電將率先發(fā)布7nm FinFET技術(shù)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：正臺積電、三星、格羅方德等半導(dǎo)體大廠開啟在7納米制程爭戰(zhàn),而現(xiàn)在臺積電有望領(lǐng)先群雄在2017年國際固態(tài)電路研討會(International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)率先發(fā)布7納米FinFET技術(shù)。全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域論文發(fā)布最高指標(biāo)國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)下屆確定于2017年2月5~9日在美國加州登場,臺積電設(shè)計(jì)暨技術(shù)平臺組織副總侯永清將擔(dān)任特邀報(bào)告(Plenary Talks)講者。這次臺積電5篇論文獲選(美國臺積電1篇),2篇論文為類比電路領(lǐng)域,內(nèi)
【關(guān)鍵詞】： m FinFET技術(shù);特邀報(bào)告;格羅;在美國;下制;運(yùn)算速度;處理芯片;功率需求;平板電腦;
【分類號】：TN386
【正文快照】： 臺積電、三星、格羅方德等半導(dǎo)體大廠開啟在7納米制程爭戰(zhàn),而現(xiàn)在臺積電有望領(lǐng)先群雄在2017年國際固態(tài)電路研討會(International　Solid-State　Cir-cuits　Conference,ISSCC)率先發(fā)布7納米FinFET技術(shù)。全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域論文發(fā)布最高指標(biāo)國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)下屆確定于201

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本文編號：474118