本文關(guān)鍵詞：一種測(cè)量纖鋅礦n-GaN位錯(cuò)密度的新方法，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用點(diǎn)缺陷線性分布模型,利用能量弛豫方法得到了基于van der Pauw變溫霍爾效應(yīng)測(cè)量來確定纖鋅礦n-GaN位錯(cuò)密度的新方法.用高分辨率X射線衍射儀測(cè)試了兩個(gè)分別用MOCVD方法和用HVPE方法生長(zhǎng)的n-GaN樣品,用Srikant方法擬合得到了位錯(cuò)密度.結(jié)果表明兩種方法高度一致.進(jìn)一步的研究表明,新方法和化學(xué)腐蝕方法的測(cè)試結(jié)果基本一致,相關(guān)擬合參數(shù)與采用Rode迭代法精確求解Boltzmann輸運(yùn)方程的理論結(jié)果也基本一致.研究還表明,新方法能有效消除施主雜質(zhì)帶和界面簡(jiǎn)并層對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,測(cè)試剔除界面層影響后的整個(gè)外延層的刃、螺位錯(cuò)密度,而不是穿透位錯(cuò)密度.該方法適合霍爾遷移率曲線峰位在200 K左右及以下并且峰位明確的各種生長(zhǎng)工藝、各種厚度、各種質(zhì)量層次的薄膜和體材料,具有對(duì)遷移率曲線高度擬合,材料參數(shù)精確,計(jì)算簡(jiǎn)便、收斂速度快等優(yōu)點(diǎn).
【作者單位】： 南昌大學(xué)科學(xué)技術(shù)學(xué)院;南昌大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;上饒職業(yè)技術(shù)學(xué)院機(jī)械工程系;南昌大學(xué)現(xiàn)代教育技術(shù)中心;
【關(guān)鍵詞】： 氮化鎵 霍爾遷移率 位錯(cuò)密度 Rode迭代法
【基金】：江西省自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):20151BAB207066) 南昌大學(xué)科學(xué)技術(shù)學(xué)院自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):2012-ZR-06)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TN304.2
【正文快照】： 1引言 氮化鎵(Ga N)是制備工藝成熟、性能優(yōu)異、應(yīng)用廣泛的第3代半導(dǎo)體材料,但通常位錯(cuò)密度高達(dá)108—1010cm-2,會(huì)導(dǎo)致器件漏電流提高、少數(shù)載流子壽命縮短,成為雜質(zhì)迅速擴(kuò)散的途徑,制約了Ga N基發(fā)光器件的性能[1],因此,對(duì)Ga N材料中各種類型位錯(cuò)密度的測(cè)試長(zhǎng)期以來都是國(guó)內(nèi)外

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 韓行俠;多角結(jié)的成因與硅的位錯(cuò)密度[J];半導(dǎo)體技術(shù);1982年04期

2 徐昌型;低氧低位錯(cuò)密度均勻分布硅單晶的制備[J];稀有金屬;1979年01期

3 于梅芳,楊建榮,王善力,陳新強(qiáng),喬怡敏,巫艷,何力,韓培德;分子束外延HgCdTe薄膜位錯(cuò)密度的研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1999年05期

4 潘靜;楊瑞霞;駱新江;李曉嵐;楊帆;孫聶楓;;InP晶片位錯(cuò)密度分布測(cè)量[J];微納電子技術(shù);2011年03期

5 趙謝群;硅襯底上MOCVD GaAs中位錯(cuò)密度研究[J];稀有金屬;1989年05期

6 徐涌泉;方敦輔;譚禮同;;電中性摻雜生長(zhǎng)低位錯(cuò)密度InP單晶[J];稀有金屬;1989年02期

7 劉戰(zhàn)輝;修向前;張榮;謝自力;顏懷躍;施毅;顧書林;韓平;鄭有p

本文編號(hào)：470997