本文關(guān)鍵詞：SiC單晶切割過程中接觸弧長建模與實驗，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：Si C單晶具有良好的物理和機械性能,廣泛應(yīng)用于大功率器件和集成電路行業(yè),但因高的硬度和脆性,使其切割、研磨和拋光加工過程成為難點。在固結(jié)金剛石磨粒的線鋸切割Si C單晶過程中,由于受各種因素的影響,使得切割力呈動態(tài)變化,而影響切割力的直接因素就是工件與線鋸之間的接觸弧長。根據(jù)線鋸和工件的運動過程,分析接觸弧長產(chǎn)生的過程,建立往復(fù)式線鋸切割過程中接觸弧長的數(shù)學模型,并對該過程中實驗和仿真產(chǎn)生的誤差進行了分析。以單顆磨粒的切深為基礎(chǔ),確定模型中的切削深度。仿真和實驗結(jié)果表明,建立的模型可以較準確地預(yù)測不同工藝參數(shù)下的接觸弧長。
【作者單位】： 西安理工大學機械與精密儀器工程學院;
【關(guān)鍵詞】： 機械制造工藝與設(shè)備 SiC單晶 材料去除 建模 預(yù)測
【基金】：國家自然科學基金項目(51175442) 陜西省機械裝備重點實驗室基金項目(14JS061)
【分類號】：TN305.1
【正文快照】： 0引言Si C單晶具有優(yōu)良的物理特性,廣泛應(yīng)用于大功率裝置和IC領(lǐng)域。而Si C單晶的莫氏硬度約為9.2,僅低于天然金剛石,其彎曲強度低于其壓縮強度[1],故表現(xiàn)為脆性,因此Si C單晶的加工非常困難。Si C單晶旋轉(zhuǎn)切割過程實際上是一種線鋸表面磨粒與工件表面的磨削加工,最終的加工表

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中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 陳世杰;亞固結(jié)磨料線鋸切割過程磨粒運動狀態(tài)實驗研究[D];浙江工業(yè)大學;2011年

  本文關(guān)鍵詞：SiC單晶切割過程中接觸弧長建模與實驗，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號：470708