本文關鍵詞：納米光刻中調焦調平測量系統(tǒng)的工藝相關性，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著半導體制造步入1xnm技術節(jié)點時代,光刻機中的對焦控制精度需要達到幾十納米。在納米精度范圍內,硅片上的集成電路(IC)工藝顯著影響調焦調平系統(tǒng)的測量精度�；趯嶋H的調焦調平光學系統(tǒng)模型和三角法、疊柵條紋法測量原理,建立工藝相關性誤差模型。研究表明,工藝相關性誤差主要來源于測量光在光刻膠涂層內部的多次反射。選取3種光刻膠仿真分析發(fā)現(xiàn),不同光刻膠的工藝相關性誤差隨光刻膠厚度的變化趨勢相同,隨測量光入射角(45°~85°)的增大而減小。在實驗驗證平臺上分別測量7種工藝硅片,實驗測量值與理論模型計算值差異統(tǒng)計平均值小于6nm。結果表明,光刻機中調焦調平系統(tǒng)的測量光有必要采用大入射角度,同時提高光刻膠的涂膠均勻性,以減少工藝相關性誤差。
【作者單位】： 中國科學院微電子研究所;中國科學院大學;
【關鍵詞】： 測量 調焦調平 工藝相關性 納米光刻
【基金】：國家科技重大專項(2012ZX02701004)
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 隨著微電子技術的迅猛發(fā)展,極大規(guī)模集成電路進入1xnm技術節(jié)點時代,光刻機的對焦控制范圍下降至幾十納米[1-2]。在光刻機中,調焦調平測量系統(tǒng)用于測量硅片表面高度分布,其測量結果用于控制工件0812001-1臺,使硅片表面的曝光區(qū)域位于最佳焦平面[3]。因此,研制具有納米級測量精

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