本文關(guān)鍵詞：晶體管微波大信號模型的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：在微波功率器件中,晶體管微波大信號的研究,一直是人們關(guān)注的問題。本文就對GaAsHEMT大信號進行研究。首先建立了GaAsHEMT的大信號等效電路模型,對其中最重要的非線性元件Ids、Cgs、Cgd建立了理論模型,進行了模擬結(jié)果與實驗數(shù)據(jù)的比較,得到了較為滿意的結(jié)果。最后根據(jù)提取出的參數(shù),建立一種新的參數(shù)模型。該方法對設(shè)計MMIC有著很好的參考價值。
【作者單位】： 西南民族大學電氣信息工程學院;
【關(guān)鍵詞】： 砷化鎵 模型 金屬半導體場效應管
【分類號】：TN32
【正文快照】： 0 引言 隨著衛(wèi)星通信、相控陣雷達和電子對抗等技術(shù)的發(fā)展,微波/毫米波器件及其電路的地位日漸提高,早己引起國際社會的極大關(guān)注。為了滿足MMIC的設(shè)計需要,應該首先建立所用器件的大信號模型,然后利用微波電路CAD軟件進行電路設(shè)計。精確的半導體器件大信號模型是進行微波單片

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3 夏增浪，劉佑寶;用于微波CAD系統(tǒng)的FET大信號模型[J];微電子學與計算機;1994年06期

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1 吳顏明;孫玲玲;劉軍;;一個經(jīng)驗的GaAs HEMT大信號模型[A];2007年全國微波毫米波會議論文集（上冊）[C];2007年

2 曹全君;張義門;張玉明;張甲陽;;4H-SiCMESFET新型大信號模型在ADS中的自定義實現(xiàn)[A];第十六屆全國半導體物理學術(shù)會議論文摘要集[C];2007年

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