本文關(guān)鍵詞：鐵電極化調(diào)控SnSe薄膜光電性質(zhì)研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：利用脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)在鈮酸鋰基片上沉積SnSe薄膜,研究了不同極化方向的鐵電基片對SnSe薄膜光電性質(zhì)的影響.控制PLD沉積時間,在鈮酸鋰基片上沉積出不同厚度的SnSe薄膜.X射線衍射和X射線光電子能譜的結(jié)果顯示制備了高取向的單相SnSe薄膜.薄膜橫截面高分辨透射電鏡結(jié)果顯示了薄膜具有較高的結(jié)晶質(zhì)量.在無光照情況下,當鐵電極化方向指向薄膜時,極化場可向SnSe薄膜中注入電子,使p型SnSe薄膜的電阻增加;當極化方向背離薄膜時,極化場可向SnSe薄膜中注入空穴,使p型SnSe薄膜的電阻降低.當用僅能使SnSe薄膜發(fā)生電子-空穴分離的632 nm激光照射時,不同極化方向的樣品都表現(xiàn)出光電導(dǎo)增加的現(xiàn)象.當用405 nm激光照射時,不同極化方向的鈮酸鋰與薄膜界面處發(fā)生的電子-空穴分離使SnSe薄膜表現(xiàn)出完全不同的光電導(dǎo)效應(yīng).利用能帶模型解釋了不同鐵電極化方向的鐵電基片對SnSe薄膜光電導(dǎo)性質(zhì)調(diào)控的機理.
【作者單位】： 哈爾濱工業(yè)大學理學院;哈爾濱工業(yè)大學基礎(chǔ)與交叉科學研究院;哈爾濱工業(yè)大學航天學院;
【關(guān)鍵詞】： 鐵電極化 鈮酸鋰 SnSe薄膜 光電調(diào)控 脈沖激光沉積
【分類號】：O472+.8
【正文快照】： Sn Se作為一種p型窄禁帶半導(dǎo)體(約為0.86 e V),可吸收大部分波段的太陽光,在熱電器件、光電探測及光伏等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景[1-3].Sn Se是典型的層狀結(jié)構(gòu)材料,由(100)晶面族所構(gòu)成,層間依靠較弱的范德華力來結(jié)合,在層平面內(nèi)具有優(yōu)于體材料的性質(zhì)和明顯的各向異性.一般情況

  本文關(guān)鍵詞：鐵電極化調(diào)控SnSe薄膜光電性質(zhì)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：460228