本文關鍵詞：IGBT極限功耗與熱失效機理分析，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的最大功耗是安全工作區(qū)的重要組成部分,與外部散熱裝置、內部熱阻以及使用工況等有關,而器件手冊給出的最大功耗是理想值,難以反映實際工況,若設計不當會造成IGBT熱擊穿失效�；趯GBT功耗以及結-殼穩(wěn)態(tài)熱阻的溫度特性分析,通過聯(lián)立IGBT功耗的溫度曲線和結-殼傳熱功耗的溫度曲線進行熱平衡分析,得到了結溫的熱穩(wěn)定點、非穩(wěn)定點以及臨界點,由此得到了在臨界點處的IGBT極限功耗,對在非穩(wěn)定點時IGBT結溫和功耗間的正反饋關系分析了IGBT熱失效機理,最后進行了實驗驗證。
【作者單位】： 海軍工程大學艦船綜合電力技術國防科技重點實驗室;武漢船舶通信研究所;
【關鍵詞】： 絕緣柵雙極型晶體管 極限功耗 熱平衡 熱失效
【基金】：國家重點基礎研究發(fā)展計劃(973計劃)(2013CB035601) 國家自然科學基金重大項目(51490681)資助
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 0引言絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate BipolarTransistor,IGBT)是一種綜合了功率場效應晶體管(MOSFET)和雙極型功率晶體管(BJT)結構的復合型功率半導體器件,具有輸入阻抗高、開關速度快、驅動功率小、飽和壓降低、控制電路簡單及承受電流大等優(yōu)點[1]。自20世紀80年代出現(xiàn)

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本文編號：449064