本文關(guān)鍵詞：碳量子點(diǎn)薄膜制備及電致發(fā)光器件，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：碳量子點(diǎn)是一種尺寸在10 nm以下的準(zhǔn)零維半導(dǎo)體納米材料,具有低毒性、易制備、高熒光效率等優(yōu)異特性,目前已在薄膜太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、光催化、探測(cè)器,傳感器、生物探針等方面獲得應(yīng)用。本文開(kāi)展碳量子點(diǎn)薄膜制備及碳量子電致發(fā)光器件的工藝研究,獲得了以下結(jié)果:(1)本文采用高溫液相法由檸檬酸與十八胺合成了熒光碳量子點(diǎn)(CD),對(duì)比了氯仿和甲苯作為碳量子點(diǎn)分散液所制備的薄膜質(zhì)量,發(fā)現(xiàn)甲苯溶液條件下制備的碳量子點(diǎn)薄膜的粗糙度遠(yuǎn)低于氯仿溶液所制備的薄膜,分析認(rèn)為溶劑的極性與量子點(diǎn)在溶劑中的分散性是成膜的關(guān)鍵因素。比較了超聲時(shí)間對(duì)成膜的質(zhì)量的影響,發(fā)現(xiàn)超聲時(shí)間延長(zhǎng),成膜質(zhì)量提高。通過(guò)合成雙親物質(zhì)單烷基馬來(lái)酸將碳量子點(diǎn)改性,與正電聚合物PDDA交替沉積在ITO表面,初步探索了碳量子點(diǎn)的層層自組裝成膜。制備了基于碳量子點(diǎn)的CD/PMMA復(fù)合薄膜和雙親聚合物PVP的雙層EL器件,對(duì)比發(fā)現(xiàn)兩個(gè)器件開(kāi)啟電壓分別為8 V和2.5 V,后者在發(fā)光強(qiáng)度方面提升了4倍。(2)制備了結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT:PSS/PVK/CD/Al的雙發(fā)光層器件,通過(guò)引入功能層材料調(diào)控電子的注入與傳輸行為。當(dāng)增加LiF功能層后,增大了電子的注入,降低了器件的工作電壓,將電壓下的激子復(fù)合區(qū)域調(diào)整到PVK層,高電壓下出現(xiàn)了碳量子點(diǎn)與聚合物PVK的激基復(fù)合物發(fā)光;當(dāng)增加電荷阻擋層PMMA后,激子復(fù)合更多發(fā)生在碳量子點(diǎn)層,器件實(shí)現(xiàn)了暖白光的發(fā)射。通過(guò)減小器件制備過(guò)程中碳量子點(diǎn)的濃度,增大了器件的工作電流,使器件的色坐標(biāo)向藍(lán)光區(qū)移動(dòng)。
【關(guān)鍵詞】：碳量子點(diǎn) 電致發(fā)光器件 空間電荷
【學(xué)位授予單位】：天津理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN383.1
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 第一章 緒論9-18
• 1.1 碳量子點(diǎn)的電子結(jié)構(gòu)9-10
• 1.2 碳量子點(diǎn)的制備與應(yīng)用10-13
• 1.3 基于碳量子點(diǎn)電致發(fā)光器件研究13-17
• 1.3.1 量子點(diǎn)電致發(fā)光器件原理及結(jié)構(gòu)13-14
• 1.3.2 碳量子點(diǎn)電致發(fā)光器件研究現(xiàn)狀14-17
• 1.4 本論文中選用的測(cè)量與分析技術(shù)17
• 1.5 本論文的主要工作17-18
• 第二章 碳量子點(diǎn)薄膜工藝優(yōu)化及單層電致發(fā)光器件18-35
• 2.1 引言18
• 2.2 十八胺作為碳源的高溫合成碳量子點(diǎn)18-20
• 2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑18-19
• 2.2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程19
• 2.2.3 碳量子點(diǎn)的表征與分析19-20
• 2.3 基于碳量子點(diǎn)單層薄膜器件制備20-26
• 2.3.1 分散溶劑對(duì)碳量子點(diǎn)薄膜成膜質(zhì)量的影響20-21
• 2.3.2 碳量子點(diǎn)薄膜及單層器件的制備21-22
• 2.3.3 碳量子點(diǎn)薄膜形貌表征及其發(fā)光特性的研究22-25
• 2.3.4 不同分散溶劑得到的薄膜碳量子點(diǎn)發(fā)光器件分析25-26
• 2.4 聚合物摻雜對(duì)碳量子點(diǎn)EL器件的影響26-29
• 2.5 雙親聚合物PVP對(duì)碳量子點(diǎn)成膜和器件的影響29-30
• 2.5.1 PVP膜和碳量子點(diǎn)膜制備29
• 2.5.2 PVP輔助下的碳量子點(diǎn)膜的表征和器件性能29-30
• 2.6 碳量子點(diǎn)薄膜的層層自組裝30-33
• 2.6.1 碳量子點(diǎn)的表面改性31
• 2.6.2 碳量子點(diǎn)與PDDA的層層自組裝（LBL）成膜31-32
• 2.6.3 采用層層自組裝生長(zhǎng)的碳量子點(diǎn)薄膜及器件的表征分析32-33
• 2.7 本章小結(jié)33-35
• 第三章 可光譜調(diào)控的PVK/碳量子點(diǎn)雙層電致發(fā)光器件35-48
• 3.1 引言35-36
• 3.2 雙層發(fā)光器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備36-37
• 3.2.1 器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路36
• 3.2.2 器件的制備36-37
• 3.3 電子注入層LiF對(duì)器件性能的影響37-42
• 3.4 增加電荷阻擋層PMMA對(duì)電致發(fā)光器件的研究42-45
• 3.5 不同碳量子點(diǎn)濃度優(yōu)化45-47
• 3.6 總結(jié)47-48
• 第四章 總結(jié)48-49
• 參考文獻(xiàn)49-55
• 發(fā)表論文和科研情況說(shuō)明55-56
• 致謝56-57

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