本文關(guān)鍵詞：濺射壓強對a-IGZO薄膜的表面粗糙度、氧空位及電學(xué)特性的影響（英文），由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：詳細地研究了濺射壓強對a-IGZO薄膜的微結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性產(chǎn)生的影響。AFM分析表明,薄膜的表面粗糙度隨濺射壓強的增加而增大。XPS分析表明薄膜中氧空位含量隨濺射壓強的增加而減少。增加表面粗糙度和減少氧空位對a-IGZO薄膜晶體管的特性有著決定性的作用。當濺射壓強保持在0.6 Pa時,得到的薄膜晶體管的特性最佳,電子的飽和遷移率和門限電壓分別是3.32 cm~2/(V·s)和24.6 V。濺射壓強是磁控濺射制備IGZO薄膜及其晶體管的關(guān)鍵影響因素。
【作者單位】： 山東大學(xué);西安交通大學(xué)電子物理與器件教育部重點實驗室;西安交通大學(xué)金屬材料強度國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： a-IGZO 薄膜晶體管 濺射壓強 氧空位
【基金】：National Natural Science Foundation of China(61372018)
【分類號】：TN304.05;TN321.5
【正文快照】： Copyright?2016,Northwest Institute for Nonferrous Metal Research.Published by Elsevier BV.All rights reserved.Because of the good electrical properties,high opticaltransparency in the visible region,excellent uniformity andlower processing temperature,am

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