CdTe和CdZnTe電子結(jié)構(gòu)及成鍵機理的第一性原理研究
本文關鍵詞:CdTe和CdZnTe電子結(jié)構(gòu)及成鍵機理的第一性原理研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:采用基于密度泛函理論的CASTEP程序軟件包,計算了CdTe和CdZnTe的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度,研究對比了CdTe和CdZnTe的分子內(nèi)成鍵機制。結(jié)果表明,在CdZnTe中,Cd e_g和Te 5s雜化形成較低的價帶,Zn t_(2g)和Te 5_(p_z)雜化形成的π鍵等構(gòu)成中間價帶,Zn 4s和Te 5_(p_z)雜化形成的σ鍵等構(gòu)成導帶。Cd 5s和Te 5s不再雜化,導帶底向高能級方向移動。
【作者單位】: 北京石油化工學院材料科學與工程學院;北京化工大學材料科學與工程學院;北京理工大學光電學院;
【關鍵詞】: Cd Te Cd Zn Te 能帶結(jié)構(gòu) 態(tài)密度 電子結(jié)構(gòu)
【基金】:北京石油化工學院優(yōu)秀青年教師和管理骨干培育計劃項目(BIPT-BPOYTMB-2014) 國家自然科學基金(51401025)
【分類號】:TN304
【正文快照】: (Received 28 September 2015,accepted 4 November 2015)1引言Cd Te和Cd Zn Te是近年發(fā)展起來的一類性能優(yōu)異的新型半導體材料,由于獨特的光電特性使他們廣泛應用于發(fā)光二極管,太陽能電池以及基于非線性光學材料特性的其他光學器件[1-3]。Cd Te和Cd Zn Te的電子結(jié)構(gòu)特性及成
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3 侯清潤,王金義,鄧金誠,杜冰,李美蓉,常米;CdZnTe Crystal Growth by Vertical Gradient Freezing Method[J];RARE METALS;1995年03期
4 李萬萬,桑文斌,閔嘉華,郁芳,張斌,王昆黍,曹澤淳;垂直布里奇曼法生長CdZnTe晶體時坩堝下降速度的優(yōu)化研究[J];無機材料學報;2004年04期
5 張鵬舉,趙增林,胡贊東,萬銳敏,岳全齡,王曉薇,姬榮斌;Cd氣氛退火對CdZnTe晶片質(zhì)量影響[J];紅外技術;2005年05期
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9 ;Size and distribution of Te inclusions in detector-grade CdZnTe ingots[J];Progress in Natural Science:Materials International;2011年01期
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5 韋永林;朱世富;趙北君;王瑞林;高德友;魏昭榮;李含冬;;CdZnTe晶體的陷阱能級分析[A];中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集[C];2003年
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,本文編號:437071
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