本文關(guān)鍵詞：相控陣?yán)走_(dá)與寬禁帶半導(dǎo)體，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：現(xiàn)代電子器件的大規(guī)模集成電路被植入在半導(dǎo)體之上,這些半導(dǎo)體被稱為襯底,通過不同的摻雜,得到不同的電路組件。在制作軍用高功率微波器件時(shí),需要研究新材料和新工藝。相控陣?yán)走_(dá)是基于特殊高功率微波器件的裝備。
【作者單位】： 空軍工程大學(xué);南昌航空大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 相控陣?yán)走_(dá) 寬禁帶半導(dǎo)體 碳化硅
【分類號(hào)】：TN958.92;TN304
【正文快照】： 現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體器件,因此半導(dǎo)體器件的性能就決定了整個(gè)電子產(chǎn)品的性能。所謂半導(dǎo)體就是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物理器件。最開始時(shí),人們對(duì)這些物質(zhì)并不感興趣,后來才發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體的獨(dú)特性能具有導(dǎo)體和絕緣體不可替代的優(yōu)勢(shì)。最常見的半導(dǎo)體器件是二極管,其

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本文編號(hào)：435800