發(fā)布時間：2017-06-09 09:15

  本文關(guān)鍵詞：p型GaAs歐姆接觸性能研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：為了研究半導體光電器件p-GaAs歐姆接觸的特性,利用磁控濺射在p-GaAs上生長Ti厚度在10~50 nm范圍、Pt厚度在30~60 nm范圍的Ti/Pt/200 nm Au電極結(jié)構(gòu)。利用傳輸線模型測量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au電極結(jié)構(gòu)接觸電阻率,研究了退火參數(shù)對歐姆接觸性能的影響,同時分析了過高溫度導致電極金屬從邊緣向內(nèi)部皺縮的機理。結(jié)果表明,Ti厚度為30 nm左右時接觸電阻率最低,接觸電阻率隨著Pt厚度的增加而增加;歐姆接觸質(zhì)量對退火溫度更敏感,退火溫度達到510℃時電極金屬從邊緣向內(nèi)部皺縮。采用40nm Ti/40 nm Pt/200 nm Au作為半導體光電器件p-GaAs電極結(jié)構(gòu),合金條件為420℃,30 s可以形成更好的歐姆接觸。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學光電子技術(shù)省部共建教育部重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 半導體器件 歐姆接觸 接觸電阻率 合金
【基金】：國家自然科學基金項目(No.11204009) 北京市自然科學基金項目(No.4142005) 北京市教委創(chuàng)新能力提升計劃項目(No.TJSHG201310005001)資助
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： 1引言歐姆接觸是半導體器件設(shè)計和制造過程中關(guān)鍵技術(shù)之一,歐姆接觸質(zhì)量直接影響器件的性能和可靠性[1-3]。良好的歐姆接觸要求接觸電阻率低,表面形貌均勻,金屬材料向內(nèi)部擴散深度淺。低接觸電阻率有利于降低器件的閾值和產(chǎn)生較少的熱量[4];均勻的表面形貌避免了器件在大電流

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1 徐海銘;秦征峰;寇春梅;黃蘊;;后端工藝的N型歐姆接觸[J];電子與封裝;2012年03期

2 張玉明,羅晉生,張義門;n型6H-SiC體材料歐姆接觸的制備[J];半導體學報;1997年09期

3 楊夢麗,張紅欣,于信明;金-鍺系統(tǒng)歐姆接觸制備研究[J];半導體情報;2001年04期

4 章登宏,康建虎;半導體陶瓷電極歐姆接觸理論分析[J];江漢石油學院學報;2002年04期

5 王守國,張義門,張玉明;4H-SiC離子注入層的歐姆接觸的制備(英文)[J];電子科技大學學報;2003年02期

6 王超;張義門;張玉明;郭輝;徐大慶;王悅湖;;高能量釩注入n型4H-SiC的歐姆接觸形成(英文)[J];半導體學報;2007年11期

7 解金山;歐姆接觸最佳合金條件[J];激光;1981年11期

8 徐靜平，余岳輝，，彭昭廉，陳濤;多晶硅接觸薄發(fā)射極歐姆接觸電極的研究[J];華中理工大學學報;1995年08期

9 華文玉,陳存禮;判斷金屬/薄層半導體歐姆接觸質(zhì)量的一個新方法[J];電子學報;1999年08期

10 龍閏;戴瑛;劉東紅;俞琳;閆翠霞;;p型金剛石歐姆接觸的研究[J];半導體技術(shù);2006年01期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 張躍宗;馮士維;張弓長;王承棟;;n-GaN/Ti/Al/Ni/Au歐姆接觸溫度特性及微結(jié)構(gòu)研究[A];第十屆全國敏感元件與傳感器學術(shù)會議論文集[C];2007年

2 孫艷玲;孫國勝;劉肅;王雷;趙萬順;羅木昌;曾一平;林蘭英;;藍寶石(0001)襯底上p-3C-SiC歐姆接觸的研究[A];2002年材料科學與工程新進展（下）——2002年中國材料研討會論文集[C];2002年

3 董建新;方亮;張淑芳;彭麗萍;張文婷;高嶺;;ZnO上歐姆接觸的研究進展[A];第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學術(shù)會議論文集（2）[C];2007年

4 石瑛;趙世榮;李鴻漸;何慶堯;;Zn+、Pt+離子注入對p-GaN表面Ni/Au電極歐姆接觸特性的改善研究[A];2010全國荷電粒子源、粒子束學術(shù)會議論文集[C];2010年

中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 韓濤;鋁摻雜氧化鋅及其與氮化鎵薄膜肖特基接觸和歐姆接觸性質(zhì)研究[D];武漢大學;2013年

2 郭輝;SiC器件歐姆接觸的理論和實驗研究[D];西安電子科技大學;2007年

3 李冰寒;GaAs、GaSb基材料生長及其器件研究[D];中國科學院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2004年

4 張躍宗;高溫環(huán)境及大電流密度應(yīng)力下GaN基歐姆接觸退化機理的研究[D];北京工業(yè)大學;2009年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 陳素華;n型4H-SiC歐姆接觸的研究[D];大連理工大學;2007年

2 張健;碳化硅離子注入及歐姆接觸研究[D];西安電子科技大學;2006年

3 張旭芳;4H-SiC歐姆接觸研究及其應(yīng)用[D];蘭州大學;2015年

4 程越;4H-SiC歐姆接觸制備及高溫熱穩(wěn)定性研究[D];上海師范大學;2015年

5 劉芳;碳化硅離子注入及歐姆接觸的研究[D];西安電子科技大學;2005年

6 趙晨光;P型SiC歐姆接觸高溫可靠性研究[D];蘭州大學;2007年

7 鄔瑞彬;n型6H-SiC金半接觸及相關(guān)工藝研究[D];四川大學;2003年

8 郎岳;GaSb歐姆接觸制備及電學特性研究[D];長春理工大學;2013年

9 王槿;TiC/n型4H-SiC半導體歐姆接觸研究[D];大連理工大學;2008年

10 錢燕妮;n型SiCN薄膜的制備及其歐姆接觸特性研究[D];華東師范大學;2009年

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本文編號：434999