本文關(guān)鍵詞：p型GaAs歐姆接觸性能研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：為了研究半導(dǎo)體光電器件p-GaAs歐姆接觸的特性,利用磁控濺射在p-GaAs上生長(zhǎng)Ti厚度在10~50 nm范圍、Pt厚度在30~60 nm范圍的Ti/Pt/200 nm Au電極結(jié)構(gòu)。利用傳輸線模型測(cè)量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au電極結(jié)構(gòu)接觸電阻率,研究了退火參數(shù)對(duì)歐姆接觸性能的影響,同時(shí)分析了過(guò)高溫度導(dǎo)致電極金屬?gòu)倪吘壪騼?nèi)部皺縮的機(jī)理。結(jié)果表明,Ti厚度為30 nm左右時(shí)接觸電阻率最低,接觸電阻率隨著Pt厚度的增加而增加;歐姆接觸質(zhì)量對(duì)退火溫度更敏感,退火溫度達(dá)到510℃時(shí)電極金屬?gòu)倪吘壪騼?nèi)部皺縮。采用40nm Ti/40 nm Pt/200 nm Au作為半導(dǎo)體光電器件p-GaAs電極結(jié)構(gòu),合金條件為420℃,30 s可以形成更好的歐姆接觸。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 半導(dǎo)體器件 歐姆接觸 接觸電阻率 合金
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(No.11204009) 北京市自然科學(xué)基金項(xiàng)目(No.4142005) 北京市教委創(chuàng)新能力提升計(jì)劃項(xiàng)目(No.TJSHG201310005001)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.2
【正文快照】： 1引言歐姆接觸是半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中關(guān)鍵技術(shù)之一,歐姆接觸質(zhì)量直接影響器件的性能和可靠性[1-3]。良好的歐姆接觸要求接觸電阻率低,表面形貌均勻,金屬材料向內(nèi)部擴(kuò)散深度淺。低接觸電阻率有利于降低器件的閾值和產(chǎn)生較少的熱量[4];均勻的表面形貌避免了器件在大電流

【相似文獻(xiàn)】

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