發(fā)布時(shí)間：2017-06-08 17:00

  本文關(guān)鍵詞：GaN電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的第一原理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用了基于密度泛函理論和廣義梯度近似方法計(jì)算了GaN電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì).計(jì)算結(jié)果表明,GaN屬于直接帶隙半導(dǎo)體,靜態(tài)介電常數(shù)為5.72,折射率為2.2.并利用計(jì)算所得圖形,分析了GaN的能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度、介電函數(shù)、折射率和能量損失函數(shù),從理論上闡述了GaN材料電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的關(guān)系,計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符.
【作者單位】： 延安大學(xué)物理與電子信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： GaN晶體 電子結(jié)構(gòu) 密度泛函 光學(xué)性質(zhì)
【基金】：陜西省教育廳專(zhuān)項(xiàng)科研基金(2013JK0917) 延安大學(xué)青年科研基金(YDK2015-44)
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.2;O469
【正文快照】： 氮化鎵(Ga N)是Ⅲ-Ⅴ主族化合物半導(dǎo)體材料,1928年由Johnson等人合成,現(xiàn)已成為第三代半導(dǎo)體材料的代表.Ga N具有直接帶隙寬、熱導(dǎo)率大、擊穿電壓高、耐高溫、物理和化學(xué)穩(wěn)定性好等特點(diǎn)[1-2],其物理性質(zhì)引起了科研人員的高度關(guān)注,成為半導(dǎo)體材料和光電子器件的研究熱點(diǎn)[3].目前

【相似文獻(xiàn)】

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1 顧剛，程光煦，都有為;C_（60）固體的光學(xué)性質(zhì)[J];物理學(xué)進(jìn)展;1995年03期

2 周建莉,楊海珉,吳杰,顧琳,和麗軍,高思安;生物膽汁液晶的光學(xué)性質(zhì)[J];昆明醫(yī)學(xué)院學(xué)報(bào);2000年02期

3 楊海珉，吳杰，，李靜儀，周建莉，和麗軍，許賢芳;人體膽汁液晶光學(xué)性質(zhì)的研究[J];生物物理學(xué)報(bào);1995年01期

4 姚會(huì)軍;;離子徑跡模板中金納米線光學(xué)性質(zhì)研究(英文)[J];IMP & HIRFL Annual Report;2007年00期

5 王凱;丁志華;王玲;;基于光學(xué)相干層析術(shù)的組織光學(xué)性質(zhì)測(cè)量[J];光子學(xué)報(bào);2008年03期

6 姜維海;劉行冰;林澤彬;蔡葦;符春林;;溶膠-凝膠法制備的鈦酸鋇薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響因素概述[J];表面技術(shù);2012年06期

7 王愛(ài)坡;;圓錐曲線光學(xué)性質(zhì)的幾何證明[J];數(shù)學(xué)學(xué)習(xí)與研究;2011年03期

8 呂良曉;;激光晶體的微觀缺陷與宏觀光學(xué)性質(zhì)[J];激光與紅外;1984年04期

9 張鎮(zhèn)西,馬玉蓉,方容川,揚(yáng)楓,饒慧蓉,王保泰;固定對(duì)組織光學(xué)性質(zhì)的影響[J];激光生物學(xué);1993年01期

10 黃欽煊,李步洪,王秀琳,謝樹(shù)森;生物組織光學(xué)性質(zhì)與表面反射率的相關(guān)性[J];福建師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2000年04期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 胡曉琳;莊乃鋒;章永凡;陳德賢;陳建中;李俊{

本文編號(hào)：433117