本文關鍵詞：GaN電子結構與光學性質的第一原理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用了基于密度泛函理論和廣義梯度近似方法計算了GaN電子結構和光學性質.計算結果表明,GaN屬于直接帶隙半導體,靜態(tài)介電常數(shù)為5.72,折射率為2.2.并利用計算所得圖形,分析了GaN的能帶結構、態(tài)密度、介電函數(shù)、折射率和能量損失函數(shù),從理論上闡述了GaN材料電子結構與光學性質的關系,計算結果與實驗結果相符.
【作者單位】： 延安大學物理與電子信息學院;
【關鍵詞】： GaN晶體 電子結構 密度泛函 光學性質
【基金】：陜西省教育廳專項科研基金(2013JK0917) 延安大學青年科研基金(YDK2015-44)
【分類號】：TN304.2;O469
【正文快照】： 氮化鎵(Ga N)是Ⅲ-Ⅴ主族化合物半導體材料,1928年由Johnson等人合成,現(xiàn)已成為第三代半導體材料的代表.Ga N具有直接帶隙寬、熱導率大、擊穿電壓高、耐高溫、物理和化學穩(wěn)定性好等特點[1-2],其物理性質引起了科研人員的高度關注,成為半導體材料和光電子器件的研究熱點[3].目前

【相似文獻】

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本文編號：433117