本文關(guān)鍵詞：退火溫度對非晶銦鎢氧薄膜晶體管特性的影響，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：非晶銦鎢氧(a-IWO)薄膜晶體管(TFT)具有高遷移率和高穩(wěn)定性的優(yōu)點,但其適合于實際生產(chǎn)的制備工藝條件尚有待摸索。本文研究了退火溫度對a-IWO TFT電學(xué)特性影響的基本規(guī)律和內(nèi)部機理。實驗結(jié)果表明,隨著退火溫度的升高,a-IWO TFT的場效應(yīng)遷移率也相應(yīng)增加,這是由于高溫退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并進而導(dǎo)致載流子濃度增加的緣故。此外,a-IWO TFT的亞閾值擺幅和閾值電壓在200℃下退火達到最佳,我們認為主要原因在于此時a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前溝道界面狀態(tài)。
【作者單位】： 上海交通大學(xué)電子工程系;
【關(guān)鍵詞】： 非晶銦鎢氧 薄膜晶體管 退火溫度 氧空位 表面粗糙度
【基金】：國家自然科學(xué)基金面上項目(61474075);國家自然科學(xué)基金重點項目(61136004)資助
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： 1引言自本世紀初以來,以非晶氧化物半導(dǎo)體(AOS)為有源層材料的薄膜晶體管(TFT)器件因為具有場效應(yīng)遷移率大、亞閾值擺幅小和大面積均一性好等優(yōu)點而逐漸被普遍認為將有可能取代非晶硅薄膜晶體管并成為下一代平板顯示(FPD)的有源矩陣驅(qū)動電子器件[1-9]。其中,非晶銦鎵鋅氧(a-IG

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本文編號：433055