本文關(guān)鍵詞：先進(jìn)射頻封裝技術(shù)發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著射頻技術(shù)的廣泛應(yīng)用和發(fā)展,射頻封裝已經(jīng)呈現(xiàn)出更高密度功能集成、更高功率、更高頻率和更低成本的發(fā)展要求。在這些要求下,3D封裝、大功率射頻器件集成、多種信號(hào)混合集成、硅中道工藝順應(yīng)而出。相對(duì)于傳統(tǒng)射頻封裝,基于硅中道工藝的先進(jìn)射頻封裝面臨結(jié)構(gòu)、熱管理、信號(hào)完整性和工藝等多方面的挑戰(zhàn)。
【作者單位】： 南京電子器件研究所;
【關(guān)鍵詞】： 射頻 中介層 D封裝 氮化鎵
【分類號(hào)】：TN405
【正文快照】： 1引言在國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織(ITRS)發(fā)布的延續(xù)摩爾(More Moore)和超越摩爾(More Than Moore)發(fā)展路線圖中,射頻屬于超越摩爾方向的首位技術(shù),已經(jīng)是當(dāng)今通信、雷達(dá)探測、電子戰(zhàn)乃至定向能的主要信號(hào)頻域。民用方面,移動(dòng)通信成為射頻器件最大的應(yīng)用市場,硅、鍺硅、砷化鎵、

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本文編號(hào)：430684