本文關(guān)鍵詞：陶瓷元件賤金屬電極全印制制備工程化技術(shù)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：陶瓷元件具有耐高溫、耐腐蝕和優(yōu)良的電、磁性能等優(yōu)點,在電子工業(yè)中應(yīng)用廣泛。其表面金屬化(引出電極制備)關(guān)系到元件電性能與穩(wěn)定性,是陶瓷元件制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。目前陶瓷元件電極的制備方法主要有直接敷銅法、燒滲法、噴涂法和物理氣相沉積法等,這些方法存在流程復(fù)雜、貴金屬用量大和成本較高等問題。針對上述不足,本文基于全印制工藝,研究了陶瓷元件賤金屬電極被覆技術(shù),并對其工程化技術(shù)進行了研究,主要研究內(nèi)容如下:(1)研究了陶瓷元件賤金屬電極的全印制制備技術(shù):實驗優(yōu)化了陶瓷基板的清洗、除油和粗化等預(yù)處理工藝;開發(fā)了一種工藝簡單,活化效果良好,可運用于工業(yè)化生產(chǎn)的可噴印觸發(fā)層制備技術(shù),并優(yōu)化了可噴印觸發(fā)層油墨組分體系;優(yōu)化了以甲醛為還原劑的化學(xué)鍍銅液體系,走通了全印制陶瓷元件賤金屬電極制備工藝。(2)通過數(shù)值模擬的方法對工程化技術(shù)的生產(chǎn)條件進行了研究:采用Gambit軟件對工程化設(shè)備滾筒進行了幾何建模,使用流體力學(xué)軟件FLUENT對滾筒內(nèi)液固兩相流進行了二維和三維的數(shù)值模擬。將滾筒轉(zhuǎn)速以及陶瓷基板和鋯球體積比分別設(shè)置為FLUENT的邊界條件和初始條件,通過觀測不同生產(chǎn)條件下滾筒內(nèi)部固相顆粒的分布規(guī)律,確定了優(yōu)化后的生產(chǎn)條件為:滾筒的轉(zhuǎn)速為40 rpm以及陶瓷基板與鋯球的體積比為1:2。(3)結(jié)合陶瓷元件賤金屬電極的全印制制備技術(shù)和數(shù)值模擬中得到工程化技術(shù)的生產(chǎn)條件進行了批量化實驗。通過對鍍覆賤金屬電極后陶瓷元件的取樣分析,驗證了數(shù)值模擬所得結(jié)果的可靠性以及陶瓷元件賤金屬電極全印制制備工程化技術(shù)的可行性。
【關(guān)鍵詞】：全印制技術(shù) 觸發(fā)層制備技術(shù) 數(shù)值模擬 工程化技術(shù)
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN05
【目錄】：

• 摘要5-6
• ABSTRACT6-10
• 第一章 緒論10-18
• 1.1 引言10
• 1.2 陶瓷元件電極制備技術(shù)的研究現(xiàn)狀10-16
• 1.2.1 直接敷銅法11-12
• 1.2.2 燒滲法12-13
• 1.2.3 噴涂法13-14
• 1.2.4 液體金屬法14
• 1.2.5 物理氣相沉積法14-15
• 1.2.6 化學(xué)沉積法15-16
• 1.3 本文的選題16-17
• 1.4 本文的結(jié)構(gòu)安排17-18
• 第二章 陶瓷元件賤金屬電極的全印制制備技術(shù)18-32
• 2.1 實驗儀器與試劑18-20
• 2.1.1 實驗儀器18-19
• 2.1.2 實驗試劑19-20
• 2.2 化學(xué)鍍銅機理20-21
• 2.3 陶瓷元件賤金屬電極全印制制備技術(shù)21-29
• 2.3.1 陶瓷基板預(yù)處理22-24
• 2.3.2 觸發(fā)層的制備24-26
• 2.3.3 化學(xué)鍍銅液組分確定26-27
• 2.3.4 化學(xué)鍍沉積銅電極27-29
• 2.4 陶瓷元件電極性能測試29-30
• 2.5 本章小結(jié)30-32
• 第三章 陶瓷元件工程化技術(shù)生產(chǎn)條件的數(shù)值模擬32-52
• 3.1 引言32
• 3.2 FLUENT基本理論32-35
• 3.2.1 FLUENT簡介32-33
• 3.2.2 FLUENT的基本思想33-35
• 3.3 滾鍍數(shù)學(xué)模型的選擇35-37
• 3.3.1 湍流模型35
• 3.3.2 多相流模型35-37
• 3.4 滾筒內(nèi)液固兩相流的數(shù)值模擬方法37-38
• 3.5 滾筒內(nèi)液固兩相流的二維模擬38-46
• 3.5.1 幾何模型38-39
• 3.5.2 模擬結(jié)果與分析39-46
• 3.6 滾筒內(nèi)液固兩相流的三維模擬46-51
• 3.6.1 幾何模型46-47
• 3.6.2 模擬結(jié)果與分析47-51
• 3.7 本章小結(jié)51-52
• 第四章 陶瓷元件電極制備的工程化實驗52-57
• 4.1 實驗方案52-53
• 4.2 實驗內(nèi)容53-54
• 4.3 陶瓷元件性能測試54-56
• 4.4 本章小結(jié)56-57
• 第五章 結(jié)論與展望57-59
• 5.1 結(jié)論57
• 5.2 展望57-59
• 致謝59-60
• 參考文獻60-64

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本文編號：426307