本文關(guān)鍵詞：協(xié)同緩解PBTI和HCI老化效應(yīng)的輸入重排方法，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：文章考慮了晶體管堆疊效應(yīng)對串聯(lián)晶體管的信號占空比和開關(guān)概率的影響,提出了一種更精確的正偏置溫度不穩(wěn)定性(positive bias temperature instability,PBTI)和熱載流子注入(hot carrier injection,HCI)效應(yīng)的老化模型,并引入綜合考慮信號占空比和開關(guān)概率的W值,根據(jù)W值的大小對輸入信號重排序,以減小PBTI和HCI效應(yīng)引起的電路老化。結(jié)果表明:與Hspice仿真結(jié)果相比,原有模型的平均誤差為3.9%,而文中所提模型的平均誤差能減小到1.4%;利用W值排序法進行晶體管輸入信號重排序,邏輯門的壽命平均提高11.7%。
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;合肥工業(yè)大學(xué)計算機與信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 晶體管老化 正偏置溫度不穩(wěn)定性(PBTI) 熱載流子注入(HCI)效應(yīng) 堆疊效應(yīng) 占空比 開關(guān)概率
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61371025;61474036;61274036)
【分類號】：TN32
【正文快照】： 隨著互補金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetal oxide semiconductor,CMOS)器件工藝尺寸的不斷減小,晶體管老化成為影響電路工作壽命的主要原因。當(dāng)器件工藝尺寸減小到45nm以下時,高K柵介質(zhì)材料將逐漸替代傳統(tǒng)的SiO2來滿足低柵漏電流和低功耗的要求。然而高K材料的使用會使正

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本文編號：424842