本文關(guān)鍵詞：大連化物所硅基材料用于光電化學(xué)分解水的研究取得新進(jìn)展，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：正近日,中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所催化基礎(chǔ)國家重點實驗室、潔凈能源國家實驗室(籌)李燦團(tuán)隊在硅基半導(dǎo)體材料用于光電化學(xué)分解水的光陽極研究中取得新進(jìn)展,發(fā)現(xiàn)了單晶硅基光電極中的界面施主態(tài)缺陷能級是制約光電極效率的因素之一,成功對異質(zhì)結(jié)的界面能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了精細(xì)調(diào)控,有效提高光電極的電荷分離及水氧化效率。相關(guān)研究結(jié)果以全文的形式發(fā)表在《美國化學(xué)會會志》上(Tingting Yao,Can Li,
【作者單位】： 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 分解水;光電極;光電化學(xué);硅基材料;硅基半導(dǎo)體材料;氧化效率;光陽極;大連化物所;電荷分離;異質(zhì)結(jié);
【分類號】：TN304.12;O643.36
【正文快照】： 近日,中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所催化基礎(chǔ)國家重點實驗室、潔凈能源國家實驗室(籌)李燦團(tuán)隊在硅基半導(dǎo)體材料用于光電化學(xué)分解水的光陽極研究中取得新進(jìn)展,發(fā)現(xiàn)了單晶硅基光電極中的界面施主態(tài)缺陷能級是制約光電極效率的因素之一,成功對異質(zhì)結(jié)的界面能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了精細(xì)調(diào)

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5 潘s，

本文編號：424722