本文關(guān)鍵詞：一種適用于大容量中點(diǎn)鉗位型三電平逆變器的絕緣柵雙極型晶體管吸收電路研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT),關(guān)斷過壓?jiǎn)栴}始終是設(shè)計(jì)者亟待解決的主要問題。單單依靠合理的多層復(fù)合母排設(shè)計(jì)不足以消除中點(diǎn)鉗位型(neutral point clamped,NPC)三電平IGBT逆變器大換流路徑雜散電感所引起的IGBT關(guān)斷電壓尖峰。因此,必須設(shè)計(jì)有效的IGBT吸收電路。該文將Undeland吸收電路在NPC三電平逆變器中進(jìn)行擴(kuò)展應(yīng)用,結(jié)合NPC三電平逆變器運(yùn)行模式,詳細(xì)分析LRCD吸收電路工作原理。研究LRCD吸收電路與逆變器電路性能之間的定量關(guān)系與影響,給出了數(shù)學(xué)表達(dá)式,提出吸收電路參數(shù)設(shè)計(jì)原則。通過仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了分析與參數(shù)設(shè)計(jì)的正確性。將LRCD吸收電路成功應(yīng)用于1.4MW級(jí)NPC三電平逆變器原理樣機(jī)。研究結(jié)果表明,LRCD吸收電路在NPC三電平逆變器中實(shí)現(xiàn)了主開關(guān)器件IGBT和鉗位二極管的"軟"開通與"軟"關(guān)斷,通過對(duì)吸收參數(shù)的合理設(shè)計(jì)能夠定量的控制主開關(guān)管的開通電流的變化率(di/dt)和關(guān)斷電壓的變化率(dv/dt),有效抑制開關(guān)器件的關(guān)斷過壓尖峰,優(yōu)化開關(guān)管的瞬態(tài)特性。該吸收電路適合大容量NPC三電平IGBT逆變器應(yīng)用。
【作者單位】： 艦船綜合電力技術(shù)國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(海軍工程大學(xué));
【關(guān)鍵詞】： 中點(diǎn)鉗位 三電平逆變器 吸收電路 LRCD 絕緣柵雙極型晶體管
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51490681,51177172,51407190)~~
【分類號(hào)】：TM464;TN322.8
【正文快照】： 0引言中點(diǎn)鉗位型(neutral point clamped,NPC)三電平逆變器被認(rèn)為非常適合于中高壓場(chǎng)合使用[1-2],得到了廣泛的關(guān)注。隨著NPC三電平IGBT(insulatedgate bipolar transistor)逆變器功率等級(jí)的提高,IGBT關(guān)斷過壓?jiǎn)栴}始終是裝置設(shè)計(jì)者亟待解決的問題。IGBT的關(guān)斷過電壓是由于存儲(chǔ)

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本文編號(hào)：423714