本文關(guān)鍵詞：一種適用于大容量中點鉗位型三電平逆變器的絕緣柵雙極型晶體管吸收電路研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT),關(guān)斷過壓問題始終是設(shè)計者亟待解決的主要問題。單單依靠合理的多層復(fù)合母排設(shè)計不足以消除中點鉗位型(neutral point clamped,NPC)三電平IGBT逆變器大換流路徑雜散電感所引起的IGBT關(guān)斷電壓尖峰。因此,必須設(shè)計有效的IGBT吸收電路。該文將Undeland吸收電路在NPC三電平逆變器中進(jìn)行擴(kuò)展應(yīng)用,結(jié)合NPC三電平逆變器運行模式,詳細(xì)分析LRCD吸收電路工作原理。研究LRCD吸收電路與逆變器電路性能之間的定量關(guān)系與影響,給出了數(shù)學(xué)表達(dá)式,提出吸收電路參數(shù)設(shè)計原則。通過仿真與實驗驗證了分析與參數(shù)設(shè)計的正確性。將LRCD吸收電路成功應(yīng)用于1.4MW級NPC三電平逆變器原理樣機(jī)。研究結(jié)果表明,LRCD吸收電路在NPC三電平逆變器中實現(xiàn)了主開關(guān)器件IGBT和鉗位二極管的"軟"開通與"軟"關(guān)斷,通過對吸收參數(shù)的合理設(shè)計能夠定量的控制主開關(guān)管的開通電流的變化率(di/dt)和關(guān)斷電壓的變化率(dv/dt),有效抑制開關(guān)器件的關(guān)斷過壓尖峰,優(yōu)化開關(guān)管的瞬態(tài)特性。該吸收電路適合大容量NPC三電平IGBT逆變器應(yīng)用。
【作者單位】： 艦船綜合電力技術(shù)國防科技重點實驗室(海軍工程大學(xué));
【關(guān)鍵詞】： 中點鉗位 三電平逆變器 吸收電路 LRCD 絕緣柵雙極型晶體管
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(51490681,51177172,51407190)~~
【分類號】：TM464;TN322.8
【正文快照】： 0引言中點鉗位型(neutral point clamped,NPC)三電平逆變器被認(rèn)為非常適合于中高壓場合使用[1-2],得到了廣泛的關(guān)注。隨著NPC三電平IGBT(insulatedgate bipolar transistor)逆變器功率等級的提高,IGBT關(guān)斷過壓問題始終是裝置設(shè)計者亟待解決的問題。IGBT的關(guān)斷過電壓是由于存儲

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本文編號：423714