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基于IGBT寄生參數(shù)的門極驅(qū)動技術(shù)

發(fā)布時間:2017-06-04 15:14

  本文關(guān)鍵詞:基于IGBT寄生參數(shù)的門極驅(qū)動技術(shù),,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:電動汽車是當(dāng)今最熱門的詞匯,而電動汽車的發(fā)展也是國家十三五規(guī)劃的重要項目。新能源汽車電力驅(qū)動的主體是電機控制器,大功率IGBT作為高壓電機控制器的核心元件,它的發(fā)展及應(yīng)用至關(guān)重要。本文從IGBT實際結(jié)構(gòu)出發(fā),詳細介紹了IGBT的等效電路、IGBT的開關(guān)原理、IGBT的基本特性以及IGBT的開關(guān)損耗產(chǎn)生機理。并以此為基礎(chǔ),盡可能詳細的闡述了IGBT關(guān)斷反峰的產(chǎn)生機理,以及現(xiàn)階段已有的IGBT門極驅(qū)動技術(shù),并對其優(yōu)缺點進行分析。本文針對IGBT自身的寄生參數(shù)提出了一種利用IGBT寄生參數(shù)反饋的門極驅(qū)動技術(shù)。該技術(shù)分為兩種,即電容反饋和電感反饋。兩種反饋方法在原理和仿真的基礎(chǔ)上,設(shè)計實驗硬件電路,并搭建實驗平臺,分別對兩種反饋的效果,開關(guān)損耗,以及實現(xiàn)難易程度進行驗證。最后通過對兩種反饋的實驗結(jié)果進行對比分析,得出結(jié)論。通過實驗,基本證明IGBT的寄生參數(shù)反饋對IGBT關(guān)斷時的反峰抑制有非常好的效果。對比發(fā)現(xiàn),電感反饋相對于電容反饋來說,在相同反峰抑制效果的基礎(chǔ)上,有對IGBT開關(guān)改善的作用,大大提高了IGBT的效率。本文最后對兩種反饋對比分析的基礎(chǔ)上,也提出了不足之處,并對今后發(fā)展提出了改進意見。
【關(guān)鍵詞】:IGBT 寄生參數(shù) 門極驅(qū)動 反峰抑制 電容反饋 電感反饋
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:U469.72;TN322.8
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • abstract5-10
  • 第1章 緒論10-13
  • 1.1 IGBT的研究背景10
  • 1.2 IGBT門極驅(qū)動技術(shù)的現(xiàn)狀10-12
  • 1.3 本文的主要工作及內(nèi)容12-13
  • 第2章 IGBT基本原理及關(guān)斷反峰13-23
  • 2.1 IGBT的基本結(jié)構(gòu)及工作原理13-14
  • 2.1.1 IGBT的基本結(jié)構(gòu)13
  • 2.1.2 IGBT的開關(guān)原理13-14
  • 2.2 IGBT的基本特性及開關(guān)損耗14-17
  • 2.2.1 IGBT的靜態(tài)特性14
  • 2.2.2 IGBT的動態(tài)特性14-15
  • 2.2.3 IGBT的開關(guān)損耗15-17
  • 2.3 門極驅(qū)動電路設(shè)計17-20
  • 2.3.1 驅(qū)動電壓17-19
  • 2.3.2 門極電阻19-20
  • 2.4 關(guān)斷反峰及產(chǎn)生機理20-22
  • 2.4.1 IGBT關(guān)斷反峰的產(chǎn)生過程20-21
  • 2.4.2 反峰抑制21-22
  • 2.5 本章小結(jié)22-23
  • 第3章 IGBT門極驅(qū)動電路電容反饋的設(shè)計與仿真23-33
  • 3.1 電容反饋原理23-24
  • 3.2 電容反饋門極驅(qū)動電路的仿真24-28
  • 3.2.1 反饋電容的選擇24-25
  • 3.2.2 基于PSpice的電容反饋仿真電路25-26
  • 3.2.3 仿真分析26-28
  • 3.3 電容反饋門極驅(qū)動電路硬件設(shè)計28-32
  • 3.3.1 驅(qū)動芯片的選擇28-29
  • 3.3.2 IGBT模塊的使用29-30
  • 3.3.3 門極驅(qū)動主電路30-32
  • 3.4 本章小結(jié)32-33
  • 第4章 IGBT門極驅(qū)動電路電感反饋的原理及電路設(shè)計33-42
  • 4.1 電感反饋驅(qū)動技術(shù)的原理33-35
  • 4.2 電感反饋門極驅(qū)動電路的硬件設(shè)計35-40
  • 4.2.1 IGBT模塊選型36
  • 4.2.2 電感反饋門極驅(qū)動電路方案選擇36-39
  • 4.2.3 電感反饋門極驅(qū)動技術(shù)硬件實現(xiàn)39-40
  • 4.3 本章小結(jié)40-42
  • 第5章 實驗平臺搭建及結(jié)果分析42-58
  • 5.1 電容反饋實驗42-49
  • 5.1.1 電容反饋實驗平臺42-45
  • 5.1.2 電容反饋實驗結(jié)果45-49
  • 5.2 電感反饋實驗49-56
  • 5.2.1 電感反饋實驗平臺49-52
  • 5.2.2 電感反饋實驗結(jié)果52-56
  • 5.3 實驗結(jié)果對比分析56-57
  • 5.4 本章小結(jié)57-58
  • 結(jié)論58-60
  • 參考文獻60-62
  • 作者簡介62-63
  • 致謝63

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  本文關(guān)鍵詞:基于IGBT寄生參數(shù)的門極驅(qū)動技術(shù),由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



本文編號:421364

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