本文關鍵詞：太陽能硅片游離磨料電解磨削多線切割表面完整性研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：游離磨料多線切割是目前加工太陽能硅片的主要方法。然而,該方法切痕較深,損傷層較厚,進一步增大硅片尺寸、減小硅片厚度難度很大。游離磨料電解磨削多線切割,復合了機械磨削和電化學加工方法,通過在加工過程中給硅錠和切割線施加電場產(chǎn)生陽極鈍化或腐蝕,可以有效降低切割負載,提高切割效率,改善硅片的表面質(zhì)量。以156 mm×56 mm(8寸)、電阻率(1~3?·cm)P型多晶硅片切割為例,初步試驗結果表明,采用相同的切割參數(shù)和原材料,相對于游離磨料多線切割,電解磨削多線切割硅片的彎曲度降低了3μm,分布區(qū)間集中在0~9μm之間;采用20%的Na OH溶液腐蝕硅片,表面的隱裂和深溝槽較少出現(xiàn),說明硅片的表面損傷程度減輕,有利于減少后續(xù)制絨減薄量。該方法和現(xiàn)有游離或固結磨料多線切割技術兼容性好,設備改造成本低,工程應用前景十分廣闊。
【作者單位】： 南京航空航天大學機電學院;南京航空航天大學自動化學院;
【關鍵詞】： 太陽能硅片 游離磨料 多線切割 電解磨削 表面完整性
【基金】：國家自然科學基金資助項目(51175259)
【分類號】：TM914.4;TN304.12
【正文快照】： 0前言*隨著能源危機和環(huán)境問題的日益嚴峻,太陽能電池的開發(fā)和利用越來越受到世界各國的重視。硅片是制造晶硅太陽能電池的核心材料,其品質(zhì)的高低直接影響到后續(xù)電池片的制造成本以及光電轉(zhuǎn)換效率[1]。硅片的表面完整性是衡量硅片品質(zhì)的一個重要參數(shù),表1所示為當前主流的多晶

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本文編號：419911