燒結(jié)工藝對納米銀焊膏微觀結(jié)構(gòu)的影響
本文關(guān)鍵詞:燒結(jié)工藝對納米銀焊膏微觀結(jié)構(gòu)的影響,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:對納米銀焊膏的低溫?zé)Y(jié)過程進(jìn)行了研究。首先采用熱重分析(TG-DSC)研究了納米銀焊膏有機物揮發(fā)的物理機制,確定合理的試驗參數(shù)。運用掃描電鏡(SEM)觀察不同條件下納米銀焊膏的微觀結(jié)構(gòu)。結(jié)合MATLAB軟件對SEM圖片進(jìn)行處理,定量分析孔隙率的變化。采用ASTM E112-96標(biāo)準(zhǔn)中的線性插值法對納米銀焊膏的平均顆粒尺寸進(jìn)行統(tǒng)計。結(jié)果顯示,升高溫度、加快升溫速率以及延長保溫時間可以有效提高納米銀焊膏的致密化程度;過高的溫度和過長的保溫時間會導(dǎo)致燒結(jié)銀顆粒粗化。
【作者單位】: 天津大學(xué)化工學(xué)院;天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 納米銀焊膏 低溫?zé)Y(jié) 孔隙率 顆粒尺寸
【分類號】:TN405;TG42
【正文快照】: 隨著電子封裝小型化,芯片集成度和集成電路功率提高,微電子封裝技術(shù)正逐漸進(jìn)入超高速發(fā)展時期。同時,電子器件的服役條件越來越苛刻[1-2]。由此,耐高溫、大功率的電子半導(dǎo)體器件不斷出現(xiàn)。例如,碳化硅(Si C)和氮化鎵(Ga N)等寬帶系半導(dǎo)體芯片在250℃下仍然具有良好的工作性能[
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3 張宗濤,胡黎明,袁留鎖,顧燕芳,,朱孟欽,趙斌;高分子保護(hù)化學(xué)還原法制備納米銀粉[J];貴金屬;1995年04期
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6 ;[J];;年期
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1 畢美田;史運澤;陳晉;樊慧慶;;多層壓電陶瓷驅(qū)動器納米銀粘接工藝應(yīng)力分布的有限元分析[A];2006年全國功能材料學(xué)術(shù)年會專輯[C];2006年
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1 梅云輝;低溫?zé)Y(jié)納米銀焊膏電遷移和粘接熱彎曲性能研究[D];天津大學(xué);2010年
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