本文關(guān)鍵詞：燒結(jié)工藝對(duì)納米銀焊膏微觀結(jié)構(gòu)的影響，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：對(duì)納米銀焊膏的低溫?zé)Y(jié)過(guò)程進(jìn)行了研究。首先采用熱重分析(TG-DSC)研究了納米銀焊膏有機(jī)物揮發(fā)的物理機(jī)制,確定合理的試驗(yàn)參數(shù)。運(yùn)用掃描電鏡(SEM)觀察不同條件下納米銀焊膏的微觀結(jié)構(gòu)。結(jié)合MATLAB軟件對(duì)SEM圖片進(jìn)行處理,定量分析孔隙率的變化。采用ASTM E112-96標(biāo)準(zhǔn)中的線性插值法對(duì)納米銀焊膏的平均顆粒尺寸進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。結(jié)果顯示,升高溫度、加快升溫速率以及延長(zhǎng)保溫時(shí)間可以有效提高納米銀焊膏的致密化程度;過(guò)高的溫度和過(guò)長(zhǎng)的保溫時(shí)間會(huì)導(dǎo)致燒結(jié)銀顆粒粗化。
【作者單位】： 天津大學(xué)化工學(xué)院;天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 納米銀焊膏 低溫?zé)Y(jié) 孔隙率 顆粒尺寸
【分類號(hào)】：TN405;TG42
【正文快照】： 隨著電子封裝小型化,芯片集成度和集成電路功率提高,微電子封裝技術(shù)正逐漸進(jìn)入超高速發(fā)展時(shí)期。同時(shí),電子器件的服役條件越來(lái)越苛刻[1-2]。由此,耐高溫、大功率的電子半導(dǎo)體器件不斷出現(xiàn)。例如,碳化硅(Si C)和氮化鎵(Ga N)等寬帶系半導(dǎo)體芯片在250℃下仍然具有良好的工作性能[

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  本文關(guān)鍵詞：燒結(jié)工藝對(duì)納米銀焊膏微觀結(jié)構(gòu)的影響，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：418390