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大功率LED封裝界面層裂對界面?zhèn)鳠嵝阅艿挠绊懛治?/H1>
發(fā)布時間:2017-06-02 20:12

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【摘要】:對大功率LED封裝器件進(jìn)行了封裝界面層裂的熱仿真分析,在芯片粘結(jié)(DA)層上構(gòu)建了不同的界面層裂模型,探究了不同層裂形狀、位置及分布時界面層裂對芯片熱傳遞的影響規(guī)律。結(jié)果表明:隨著界面層裂面積的增加,LED芯片結(jié)溫以14℃/mm~2以上的速率增大,層裂面積達(dá)到36%時,芯片最高溫度為68.68℃,相比無層裂時升高了9.8%;并且界面層裂處于DA層的下界面比上界面對芯片溫度分布影響更大;此外,針對同一界面的層裂缺陷,相對于邊緣位置和中心位置,封裝邊角位置的層裂對整體LED封裝熱傳輸能力的阻礙作用更明顯。
【作者單位】: 桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】大功率LED 芯片粘結(jié)層 界面層裂 有限元分析 熱仿真 傳熱性能
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助(No.51366003) 廣西研究生教育創(chuàng)新計劃資助(No.YCBZ2015037) 廣西中青年教師基礎(chǔ)能力提升項目資助(No.KY2016YB148)
【分類號】:TN312.8
【正文快照】: 發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光二極管,自1993年日本的中村修二運用氮化鎵(Ga N)和銦氮化稼(In Ga N)開發(fā)出了具有商業(yè)應(yīng)用價值的藍(lán)光LED以來,LED逐步應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如信號通信、室內(nèi)照明、景觀照明、屏幕顯示和顯示背光等。LED具有節(jié)能,環(huán)保,高

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本文編號:416414


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