在我們以前的工作[1]中,報道了基于重摻硼硅片（p⁺-Si）上摻Er的TiO₂（TiO₂∶Er）薄膜的TiO₂∶Er/p⁺-Si異質結器件的電致發(fā)光。本文研究了TiO₂∶Er薄膜的氬（Ar）等離子體處理對TiO₂∶Er/p⁺-Si異質結器件電致發(fā)光的影響。研究發(fā)現:Ar等離子體處理使TiO₂∶Er/p⁺-Si異質結器件與Er3+離子相關的可見和近紅外電致發(fā)光都得到了顯著的增強,同時也增強了與TiO₂基體中氧空位相關的電致發(fā)光。這是由于Ar等離子體處理顯著提高了TiO₂∶Er薄膜中的氧空位濃度,不但增強了與氧空位相關的電致發(fā)光,而且增強了以氧空位為敏化中心的從TiO₂基體向Er3+離子的能量傳遞,從而增強了Er3+離子的發(fā)光。

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【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 結果與討論
4 結論



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