發(fā)布時(shí)間：2024-06-07 19:26

　　硅片表面納米級(jí)污染顆粒的檢測(cè)與去除是集成電路制造(Integrated Circuit, IC)的關(guān)鍵環(huán)節(jié).本文主要對(duì)納秒級(jí)脈沖激光作用至硅片表面后納米顆粒的動(dòng)力學(xué)過(guò)程及顆粒成分在線檢測(cè)方法進(jìn)行了研究.搭建了雙脈沖激光測(cè)量實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),并通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)300 nm Cu顆粒進(jìn)行了雙脈沖激光實(shí)驗(yàn)觀測(cè),通過(guò)分析表征顆粒運(yùn)動(dòng)軌跡的擊穿光譜特征,從實(shí)驗(yàn)上觀測(cè)到了清洗激光作用后顆粒沿垂直硅片表面向上的運(yùn)動(dòng)軌跡.在綜合考慮空氣碰撞阻力、顆粒重力的影響下,建立了激光清洗后顆粒的運(yùn)動(dòng)模型,并與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合求解了運(yùn)動(dòng)模型參數(shù),計(jì)算獲得了清洗激光作用后顆粒的初始速度和激光作用時(shí)間內(nèi)顆粒的平均加速度.本文為激光誘導(dǎo)晶圓表面納米顆粒去吸附以及激光至納米顆粒動(dòng)力學(xué)過(guò)程研究提供了一種模型方法,也為集成電路污染源在線檢測(cè)提供了一種重要方法.

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)


本文編號(hào)：3990990