硒化錮(In₂Se₃)作為一種特殊的寬禁帶Ⅲ-Ⅵ族化合物半導體,具有很高的電阻率以及多個晶格相。由于其特殊的電學、光學特性被廣泛應用于光探測器、太陽能電池以及隨機相變存儲器(PRAM)等器件領域。半導體In₂Se₃成為光電子學以及存儲領域材料研究的熱點。本文利用化學氣相沉積(C VD)半導體工藝技術在硅片和氟晶云母襯底上分別成功制備了 In₂Se₃納米線和In₂Se₃納米片。利用表征手段如:掃描電子顯微鏡(SEM)、能量色散譜(EDS)、拉曼散射光譜(Raman)、X射線光電子能譜(XPS)、文射線衍射(XRD)、光致發(fā)光譜(PL)以及透射-吸收光譜等對In₂Se₃納米結構進行測試分析。主要結果如下:1.In₂Se₃納米線基于CVD工藝以鍍金的硅片作為襯底成功制備,其中Au在生長過程中起到催化劑的作用,通過Raman光譜表征確...

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 In₂Se₃材料簡介
        1.2.1 In₂Se₃晶格的結構和性質(zhì)
        1.2.2 In₂Se₃材料的應用
    1.3 硒化物納米材料的應用
        1.3.1 光催化降解
        1.3.2 電化學氫存儲
        1.3.3 光探測器
        1.3.4 太陽能電池
        1.3.5 相變隨機存取存儲器
    1.4 納米材料合成研究進展
        1.4.1 氣相合成法
        1.4.2 液相合成法
    1.5 本文主要研究內(nèi)容
    參考文獻
第二章 In₂Se₃納米結構的制備和研究方法
    2.1 硒化銦納米結構的工藝平臺制備概述
    2.2 In₂Se₃納米線制備
    2.3 In₂Se₃納米片制備
    2.4 樣品表征設備
    參考文獻
第三章 In₂Se₃納米線的性能表征
    3.1 In₂Se₃納米線的形貌、成分分析
    3.2 In₂Se₃納米線的晶體結構表征
    3.3 In₂Se₃納米線表面電子結構分析
    3.4 In₂Se₃納米線性質(zhì)測試
    3.5 本章小結
    參考文獻
第四章 In₂Se₃納米片基本表征
    4.1 In₂Se₃納米片的形貌、成分表征
    4.2 In₂Se₃納米片的晶體結構表征
    4.3 In₂Se₃納米片的生長機理
    4.4 In₂Se₃納米片的光學特性
        4.4.1 In₂Se₃納米片的PL譜
        4.4.2 In₂Se₃納米片的透射-吸收譜
    4.5 本章小結
    參考文獻
第五章 結論與展望
    5.1 主要結論
    5.2 研究展望
攻讀碩士期間成果
致謝



本文編號：3987484