在藍(lán)寶石襯底上研制了具有高電流增益截止頻率(f_T)的InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN歐姆接觸工藝實(shí)現(xiàn)了器件尺寸的縮小,有效源漏間距(Lsd)縮小至600 nm.此外,采用自對(duì)準(zhǔn)工藝制備了50 nm直柵.由于器件尺寸的縮小,Vgs=1 V下器件最大飽和電流(I_ds)達(dá)到2.11 A/mm,峰值跨導(dǎo)達(dá)到609 mS/mm.根據(jù)小信號(hào)測(cè)試結(jié)果,外推得到器件的fT和最大振蕩頻率(fmax)分別為220 GHz和48 GHz.據(jù)我們所知,該f_T值是目前國(guó)內(nèi)InAlN/GaN HFETs器件報(bào)道的最高結(jié)果.

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圖1InAlN/GaNHFETs器件截面示意圖(a)和掃描電鏡平面圖(b)

紅外與毫米波學(xué)報(bào)36卷Fig．1(a)Schematiccrosssectionand(b)theSEMplanformofthefabricatedInAlN/GaNHFETs圖1InAlN/GaNHFETs器件截面示意圖(a)和掃描電鏡平面圖(b)sidewallobliqu....

圖2再生長(zhǎng)歐姆接觸TLM結(jié)果

紅外與毫米波學(xué)報(bào)36卷Fig．1(a)Schematiccrosssectionand(b)theSEMplanformofthefabricatedInAlN/GaNHFETs圖1InAlN/GaNHFETs器件截面示意圖(a)和掃描電鏡平面圖(b)sidewallobliqu....

圖3InAlN/GaNHFETs器件直流輸出曲線(a)和轉(zhuǎn)移特性曲線(b)

1期YINJia-Yunetal:fT=220GHzInAlN/GaNHFETswithregrownohmiccontactsFig．3DCoutput(a)andtransfer(b)characteristicsofthefab-ricatedInAlN/GaNHFETs圖....

圖4小信號(hào)射頻性能(a)和模型參數(shù)(b)

νsatvalueismuchlowerthanthetheoreticalone3×107cm/s，［18］thisismainlybecausethatthecalculat-edνsatvalueisextrinsic，whichdoesnotconsiderthein-f....

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