基于航空航天領(lǐng)域?qū)臻g探測(cè)的需求,集成電路面臨著工作環(huán)境充滿宇宙輻射的挑戰(zhàn)。一方面,宇宙環(huán)境中的各種高能粒子會(huì)造成電路失效,從而使航天器喪失探測(cè)及傳遞信息的能力;另一方面,航天電路的高度集成化是發(fā)展的必然趨勢(shì),然而隨著集成度增高,集成電路對(duì)空間輻射會(huì)更敏感。因此研究集成電路的輻射可靠性具有重大意義。目前在深納米工藝代,鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Fin FET)已逐步取代平面金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在集成電路應(yīng)用中的地位,但對(duì)于電路性能更優(yōu)異的新型器件的探討仍在持續(xù)。其中一種具備三個(gè)獨(dú)立柵極結(jié)構(gòu)的新型Fin FET器件(TIG Fin FET)被提出。本論文探究了該新型TIG Fin FET結(jié)構(gòu)的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)(SET)以及由其構(gòu)成的反相器與六管SRAM單元的單粒子特性。具體研究內(nèi)容及結(jié)果如下:第一,利用TCAD工具對(duì)TIG Fin FET進(jìn)行詳細(xì)的器件級(jí)單粒子瞬態(tài)仿真。三維仿真結(jié)果表明,相同重離子入射條件下,N型TIG Fin FET收集的瞬態(tài)電流峰值是P型TIG Fin FET的1.25倍。入射路徑分別只經(jīng)過溝道或襯底時(shí),N型TIG Fin FET漏端收集到的瞬態(tài)電流比...

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1各工藝代，SRAM、鎖存器和組合邏輯電路中單個(gè)邏輯門的軟錯(cuò)誤率[7]

華東師范大學(xué)碩士論文5分析中，首次考慮到輻射效應(yīng)是造成電路失效的機(jī)制之一[25]。隨后關(guān)于數(shù)字邏輯電路的輻射效應(yīng)的文獻(xiàn)首次發(fā)表于80年代[26]。但單粒子輻射在之后多年并未立即引起研究者的重視，直到美國Sandia國家實(shí)驗(yàn)室對(duì)其3um標(biāo)準(zhǔn)單元庫進(jìn)行了一項(xiàng)輻射仿真實(shí)驗(yàn)，預(yù)測(cè)重離子電....

圖2.2TIGFinFET器件沿x=0um的橫截面

圖2.1單鰭獨(dú)立三柵FinFET三維結(jié)構(gòu)示意圖：（a）N型TIG-FinFET（b）P型TIG-FinFET頂柵

圖2.1單鰭獨(dú)立三柵FinFET三維結(jié)構(gòu)示意圖：（a）N型TIG-FinFET（b）P型TIG-FinFET

華東師范大學(xué)碩士論文面。該圖更清晰的標(biāo)識(shí)出了此器件中獨(dú)特的三個(gè)柵極以及柵氧化層結(jié)構(gòu)。

圖2.4重離子轟擊獨(dú)立三柵FinFET器件溝道的示意圖

華東師范大學(xué)碩士論文152.2P型和N型TIGFinFET單粒子瞬態(tài)特性對(duì)比為了探究新型獨(dú)立三柵器件的單粒子效應(yīng)，本文基于搭建好的三維模型結(jié)構(gòu)，利用SentaurusDevice進(jìn)行器件級(jí)仿真。在器件仿真中，加入重離子輻射物理模型。該重離子模型模擬了重離子撞擊器件時(shí)，沿撞擊方向在....

本文編號(hào)：3978346