系統(tǒng)研究了I類組分量子阱結(jié)構(gòu)材料GaAs/AlGaAs的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料表征及光學(xué)性能。利用分子束外延(MBE)技術(shù)生長量子阱材料,原子力顯微鏡(AFM)測量結(jié)果表明樣品表面粗糙度達(dá)到10-1 nm數(shù)量級。X射線雙晶衍射測試結(jié)果顯示材料具備良好的生長質(zhì)量及晶格完整性。室溫光致發(fā)光譜探測出量子阱導(dǎo)帶電子與價(jià)帶輕重空穴的復(fù)合發(fā)光,及施主-受主(D-A)能級間距與GaAs禁帶寬度。綜合分析結(jié)果表明用MBE方法制備實(shí)現(xiàn)了與設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)高度相符的GaAs/Al0.27Ga0.73As量子阱樣品,為后期器件設(shè)計(jì)的精確實(shí)現(xiàn)提供了理論依據(jù)。

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圖１ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格樣品結(jié)構(gòu)示意圖

０．５μｍＧａＡｓ接觸層，接著生長５０周期ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱層，最后再生長一層０．５μｍ的ＧａＡｓ接觸層。Ａｌ原子含量為０．２７，ＧａＡｓ層的Ｓｉ摻雜濃度均為６×１０１７ｃｍ－３［４］。樣品結(jié)構(gòu)如圖１所示，由多量子阱結(jié)構(gòu)中的電子干涉理論［７］計(jì)算得該結(jié)構(gòu)的峰值吸收波長為....

形貌圖圖２樣品的ＡＦＭ形貌圖（ｂ）

ＡＦＭ）對樣品表面形貌進(jìn)行觀測。ＡＦＭ是靠探測針尖與樣品表面微弱的原子間相互作用力的變化來觀察表面結(jié)構(gòu)，得到的是對應(yīng)于表面總電子密度的形貌，適用于所有材料，接觸式和輕敲式模式下的橫向分辨率可高達(dá)１．０ｎｍ。實(shí)驗(yàn)中使用ＮａｎｏｎａｖｉＥ－Ｓｗｅｅｐ型環(huán)境可控掃描探針顯微鏡對樣品進(jìn)行....

圖３Ｘ射線雙晶搖擺曲線

看出，樣品表面呈現(xiàn)臺階形層狀生長形貌，均方根粗糙度ＲＭＳ為０．２０８１ｎｍ，平均面粗糙度Ｒａ為０．１５２７ｎｍ，表明樣品表面平整度高，呈現(xiàn)高質(zhì)量的二維層狀生長形貌。２．２結(jié)構(gòu)特性分析Ｘ射線雙晶衍射方法制樣簡單、測量精度高，且對樣品無損傷，已被廣泛應(yīng)用于超晶格樣品結(jié)構(gòu)參數(shù)的精確測定....

圖1-2不同類型的子帶間躍遷

上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文第一章緒論造商已經(jīng)推出了長波單色焦平面和雙色（中波-長波）焦平面產(chǎn)品。從量子阱紅外探測器的發(fā)展過程來看，性能提高的關(guān)鍵是，通過優(yōu)化改進(jìn)量子阱阱寬、壘高、壘寬等結(jié)構(gòu)參數(shù)，改變材料的能態(tài)分布，從而達(dá)到探測目標(biāo)的精確實(shí)現(xiàn)。1.2.2三種不同躍遷形式的QW....

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