超低溫微波低噪聲放大器(LNAs)是一些高靈敏度接收器中的關(guān)鍵組成部分。目前應(yīng)用在低溫條件下的最先進(jìn)的低噪聲放大器采用的一般是磷化銦高電子遷移率晶體管(HEMTs)或鍺化硅(Si Ge)異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBTs)。近幾年,關(guān)于Si Ge HBT在低溫低壓條件下工作時(shí)的噪聲特性研究十分匱乏。但為了減少設(shè)計(jì)時(shí)間、提高設(shè)計(jì)效率以及成功率,建立Si Ge HBT在低溫條件下的等效噪聲模型具有重要的理論意義與使用價(jià)值。本文中通過分析Si Ge HBT在低溫低壓條件下的理論直流特性、交流特性以及小信號(hào)特性,并且與其他溫度與偏置條件下的值做對(duì)比來證明Si Ge HBT在低溫低壓條件下工作的可行性。本文利用參數(shù)直接提取法對(duì)工作在不同溫度與偏置條件下的Si Ge HBT建立小信號(hào)等效電路模型。并通過分析對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)化,從而建立了一個(gè)適用于Si Ge HBT工作在放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)的簡(jiǎn)化的小信號(hào)等效電路模型。并通過對(duì)比兩模型不同溫度與不同偏置條件下的Y參數(shù),來證明此簡(jiǎn)化的小信號(hào)等效電路模型的準(zhǔn)確性。由于目前常用的散粒噪聲模型要么沒有描述散粒噪聲與頻率的關(guān)系,要么過于復(fù)雜而在低溫低壓條件下不適用。所以本文...

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2-1靜態(tài)集電極電流密度函數(shù)與集電極-發(fā)射級(jí)電壓關(guān)系

可以觀察到當(dāng)SiGeHBT工作在放大區(qū)時(shí)，所有的曲線都因?yàn)榛鶇^(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)有輕微或中等的傾斜。并且在圖2-1中可以發(fā)現(xiàn)，靜態(tài)集電極電流JC當(dāng)集電極-發(fā)射極電壓VCE的數(shù)值大于100-150mV時(shí)，JC的數(shù)值相對(duì)穩(wěn)定。并且可以發(fā)現(xiàn)，不同溫度條件對(duì)于集電極電流密度函數(shù)....

圖2-2基極電流密度函數(shù)與集電極-發(fā)射級(jí)電壓關(guān)系

圖2-2基極電流密度函數(shù)與集電極-發(fā)射級(jí)電壓關(guān)系elationshipbetweenthebaseelectrodecurrentdeandthecollector-emissionvoltage2-2中基極電流密度JB關(guān)于集電極-發(fā)射極電壓V上....

圖2-3截止頻率ft關(guān)于VCE的關(guān)系圖

西南科技大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文mV時(shí)，這個(gè)電壓數(shù)值低于所施加的基極-發(fā)射極電壓電流的產(chǎn)生。而這是因?yàn)樵诨鶚O的集電極邊緣的有高極的摻雜相對(duì)較少，而這兩者都有助于產(chǎn)生一個(gè)較低電極空間電荷區(qū)（SCR:Space-ChargeRegion），同荷區(qū)也有相同情況。還有一個(gè)有趣的特征是....

圖2-4最高振蕩頻率fmax關(guān)于VCE的關(guān)系圖

圖2-4最高振蕩頻率fmax關(guān)于VCE的關(guān)系圖erelationshipbetweentheMaximumoscillationfrequcollector-emissionvoltage可以發(fā)現(xiàn)當(dāng)溫度越低時(shí),截止頻率ft的值就越高。這種一致。由公式....

本文編號(hào)：3971109