上海硅酸鹽研究所利用激光加熱基座法(LHPG)成功制備高長徑比Yb∶YAG單晶光纖
發(fā)布時間:2024-05-12 02:24
<正>單晶光纖直徑在百微米量級或更小直徑下才能真正發(fā)揮"準一維形態(tài)"單晶材料的尺寸優(yōu)勢,以望實現(xiàn)理論輸出極限,因此制備直徑在百微米量級或更小直徑的單晶光纖顯得尤為重要。導模法、微下拉法等方法因受模具、坩堝材料的限制難以制備百微米量級的單晶光纖;而LHPG方法制備單晶光纖的過程中無需使用坩堝,單晶光纖的外形主要通過籽晶與料棒的拉速比來控制,可有效解決其他光纖生長方法過程中存在的熔體浸潤性、模具加工精度等問題,實現(xiàn)直徑百微米量級單晶光纖的制備,在制備高長徑比的單晶光纖時具有獨特的優(yōu)勢。此外,LHPG方法還具有生長速度快、原料用量小、設備功率低等優(yōu)點。目前采用LHPG方法己經(jīng)生長出數(shù)十種單晶光纖,涉及激光、高溫探測等多個應用領域。
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本文編號:3970716
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