半導(dǎo)體材料在基礎(chǔ)科研、工業(yè)生產(chǎn)及日常生活中具有重要的應(yīng)用價值,所以探究這類材料的新結(jié)構(gòu)及其新性質(zhì)是一個極為有意義的課題。眾所周知,材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是決定其性質(zhì)的基本因素,是理解材料宏觀性質(zhì)和微觀機理的基礎(chǔ)。大部分半導(dǎo)體材料是具有強共價的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體的明星材料便是其中一種,研究這類材料更深、更廣的物理性能成為當(dāng)下亟待解決的問題。另外自從石墨烯的發(fā)現(xiàn)以來,層狀半導(dǎo)體材料特殊的結(jié)構(gòu)特征引起大家廣泛的關(guān)注。因其層與層之間存在較弱的范德瓦爾斯作用力,具有有序的堆疊性,而表現(xiàn)出系列新奇的性質(zhì),這極大地拓展了半導(dǎo)體材料的使用范圍及研究價值。高壓作為一種有效的手段可以調(diào)節(jié)凝聚態(tài)物質(zhì)的結(jié)構(gòu),進而可以誘發(fā)結(jié)構(gòu)相變。此外,高壓還可以降低反應(yīng)勢壘,促進化學(xué)反應(yīng)的進行,可以獲得常壓下無法得到的亞穩(wěn)材料,甚至可以合成一些非常規(guī)配比的新化合物,這大大擴展了我們對現(xiàn)有物質(zhì)科學(xué)的認知。因此高壓手段為我們尋找材料的新性質(zhì)、新結(jié)構(gòu)提供了新的思路。過渡金屬硫族化合物是一類典型的二維層狀材料,其一般化學(xué)式為MX₂,其中M是過渡金屬,如Hf、Ti、Zr、Nb、Ta;X為硫族元素,如S、...

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 高壓研究的意義
    1.2 半導(dǎo)體材料簡介
    1.3 過渡金屬硫族化合物的結(jié)構(gòu)與研究進展
        1.3.1 高壓下MoS₂ 的研究進展
        1.3.2 高壓下WS₂ 的研究進展
        1.3.3 高壓下MoSe₂ 研究進展
    1.4 金屬氮化物研究進展
    1.5 本文選題目的和意義
    1.6 論文的結(jié)構(gòu)安排
第2章 理論基礎(chǔ)與計算方法
    2.1 密度泛函理論
        2.1.1 絕熱近似
        2.1.2 單電子近似
        2.1.3 密度泛函理論
        2.1.4 交換關(guān)聯(lián)函數(shù)
    2.2 超導(dǎo)理論
        2.2.1 BCS理論
        2.2.2 McMillan方程
    2.3 晶體結(jié)構(gòu)理論預(yù)測技術(shù)
        2.3.1 晶體結(jié)構(gòu)預(yù)測方法
        2.3.2 晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的判斷
    2.4 高壓實驗技術(shù)
        2.4.1 高壓合成方法
        2.4.2 高壓X射線衍射測量
第3章 ZrS₂ 高壓結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)的探究
    3.1 引言
    3.2 計算方法
    3.3 結(jié)果與討論
    3.4 本章小結(jié)
第4章 Ga-N體系結(jié)構(gòu)預(yù)測與實驗合成
    4.1 引言
    4.2 計算與實驗方法
    4.3 結(jié)果與討論
    4.4 本章小結(jié)
第5章 總結(jié)與展望
參考文獻
作者簡介及碩士階段科研成果
致謝



本文編號：3968218