在集成電路(Integrated Circuit,IC)產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的當(dāng)今,工藝制程不斷縮減,行業(yè)對器件的電路性能和工作可靠性等需求不斷提升,而航空航天、國防軍工等尖端領(lǐng)域所面臨的輻射環(huán)境卻愈加復(fù)雜、多變,這就使得對IC器件做抗輻照加固設(shè)計變得必要而迫切。這其中,靜態(tài)隨機存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)以其自身特殊性能和需求成為了IC的重要組成部分并占據(jù)著現(xiàn)代芯片大量的面積比重,同時,受其自身結(jié)構(gòu)的影響,SRAM存儲單元對單粒子效應(yīng)(Single Event Eff ect,SEE)卻十分敏感。因此,對SRAM單元做抗輻照加固設(shè)計就顯得尤為重要。以Quatro-10T結(jié)構(gòu)為代表的加固型SRAM因其較好的性能表現(xiàn)被廣泛運用在抗輻照領(lǐng)域,但其仍有很大的性能提升空間。本文在其基礎(chǔ)上優(yōu)化并提出了一種新型抗輻照SRAM單元結(jié)構(gòu),主要工作內(nèi)容如下:(1)本文基于經(jīng)典Quatro-1OT單元結(jié)構(gòu),研究并提出了一種新型體硅工藝讀寫分離模式的SRAM存儲單元(Radiation Harden By Quatro,RHBQ)。在電路級層面,采用雙端寫入、單端讀取的...

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１?ＮＧＤＣ對３５顆故障衛(wèi)星的原因統(tǒng)計??Ｆｉｇ．?１－１?Ｔｈｅ?ｃａｕｓｅ?ｓｔａｔｉｓｔｉｃｓ?ｏｆ?３５?ｆａｕｌｔｙ?ｓａｔｅｌｌｉｔｅｓ?ｂｙ?ＮＧＤＣ??

——存儲器，越來越多地占據(jù)著芯片的面積比重，并在２０１４年這一??比例就高達(dá)９０％以上［９１統(tǒng)計趨勢如下圖１－２所示。??芯片模塊面積占比??Ｓ?＿三＿＿??ｉ?１?１?Ｉ?Ｉ?Ｉ?Ｉ??１９９９年?２００２年?２００５年?２００８年?２０１１?年?２０１４?年??■存儲器單元面....

圖１－３國內(nèi)外抗輻照芯片產(chǎn)品示例??－－

ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）工藝的多款容量從?２５６Ｋｂｉｔ（ＨＸ６２５６、ＨＬＸ６２５６、ＨＸ６３５６）??到６４Ｍ?ｂｉｔ（ＨＸＳＲ０６４３２）不等的性能卓越的抗輻照ＳＲＡＭｌ１Ｇ］，代表產(chǎn)品展示及性??能如下圖１－３、表１－１所本。??（ａ）?Ａｅｒｏ....

圖２－１空間轄射環(huán)境模擬圖??Ｆｉｇ．?２－１?Ｔｈｅ?ｓｐａｃｅ?ｒａｄｉａｔｉｏｎ?ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ?ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ?ｍａｐ??

護(hù)與加固機制。就目前研究發(fā)現(xiàn)來看，主要分為三大類高能粒子輻射源，分別為：??銀河宇宙射線（Ｇａｌａｃｔｉｃ?Ｃｏｓｍｉｃ?Ｒａｙｓ，?ＧＣＲ）、太陽宇宙射線（Ｓｏｌａｒ?Ｃｏｓｍｉｃ?Ｒａｙｓ，??ＳＣＲ）以及地球輻射帶，如圖２－１模擬所示：??圖２－１空間轄射環(huán)境模擬圖??Ｆｉ....

圖２－２?ＮＡＳＡ提供的地球輻射帶截面能譜示意圖??Ｆｉｇ．?２－２?Ｔｈｅ?ｅｎｅｒｇｙ?ｓｐｅｃｔｒｕｍ?ｍａｐ?ｏｆ?ｅａｒｔｈ＇ｓ?ｒａｄｉａｔｉｏｎ?ｚｏｎｅ?ｓｅｃｔｉｏｎ?ｂｙ?ＮＡＳＡ??

之為Ｖａｎ?Ａｌｌｅｎ輻射帶。其中，按照離地球的空間距離又被分為內(nèi)輻射帶和外輻??射帶，在向陽面和背陽面各有一個區(qū)［１４］。美航局（Ｎａｔｉｏｎａｌ?Ａｅｒｏｎａｕｔｉｃｓ?Ｓｐａｃｅ??Ａｄｍｉｎｉｓｔｒａｔｉｏｎ，?ＮＡＳＡ）就曾提供過地球輻射帶的截面能譜示意圖，如下圖２－２....

本文編號：3959795