發(fā)布時間：2024-04-18 03:36

　　詳細(xì)研究了n型AlGaN限制層與InGaN上波導(dǎo)對GaN基綠光激光器光場分布與電學(xué)特性的影響,結(jié)果表明:增加n型AlGaN限制層厚度或提高InGaN上波導(dǎo)中的銦組分可以明顯抑制GaN基綠光激光器的光場泄漏,改善光場分布;相比In_0.02Ga_0.98N上波導(dǎo),采用更高銦組分的In_0.05Ga_0.95N上波導(dǎo)可增加光場限制因子,改善綠光激光器的性能。綜合調(diào)控n型限制層和上波導(dǎo)才能有效改善GaN基綠光激光器的光場分布,提高激光器的性能。

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【部分圖文】：

圖1用于LASTIP計算的GaN基激光器的結(jié)構(gòu)簡圖

n(ΙnxGa1-xΝ)=[n(ΙnΝ)-n(GaΝ)]?x+n(GaΝ),???(1)n(AlyGa1-yΝ)=[n(AlΝ)-n(GaΝ)]y+n(GaΝ)。???(2)表1用于LASTIP計算的GaN基激光器的結(jié)構(gòu)參數(shù)Table1St....

圖3激光器LD1～LD10的閾值電流以及120mA注入電流時的輸出光功率。(a)閾值電流;(b)輸出光功率

圖2激光器LD1～LD10在120mA注入電流時的光學(xué)特性。(a)歸一化的光場分布,灰色標(biāo)記區(qū)域?yàn)镚aN襯底;

圖4激光器LD11～LD20在120mA注入電流時的光學(xué)特性。(a)歸一化的光場分布,灰色標(biāo)記區(qū)域?yàn)镚aN襯底;

圖4為激光器LD11～LD20的光場分布示意圖�？梢钥闯�:對于采用In0.05Ga0.95N上波導(dǎo)的激光器LD11～LD20,增加n-Al0.08Ga0.92N限制層的厚度后,光場泄漏明顯減少;當(dāng)限制層厚度增加至1.2μm時,光場泄漏基本消失。根據(jù)激光器LD11～LD20的光場....

圖2激光器LD1～LD10在120mA注入電流時的光學(xué)特性。(a)歸一化的光場分布,灰色標(biāo)記區(qū)域?yàn)镚aN襯底;

根據(jù)激光器LD1～LD10的光場分布、各層厚度和吸收系數(shù),可以進(jìn)一步計算得到光場限制因子與光學(xué)損耗,計算結(jié)果分別如圖2(b)、(c)所示。由圖2(b)可以看出:當(dāng)n-Al0.08Ga0.92N限制層厚度從0.4μm增加至1.5μm時,光場限制因子從0.36%(LD1)降低至0....

本文編號：3957361