利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices(APSYS)理論對比研究了InGaN/AlInGaN和InGaN/GaN多量子阱作為有源層的InGaN基發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性。與InGaN/GaN基LED中GaN作為壘層材料相比,在AlInGaN材料體系中,通過調(diào)節(jié)AlInGaN中Al和In的組分可以優(yōu)化器件的性能。當(dāng)InGaN阱層材料中In組分為8%時,可以實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力的In0.08Ga0.92N/AlInGaN基LED。在這種無應(yīng)力結(jié)構(gòu)中可以進(jìn)一步降低大功率LED的"效率下降"(Effciency droop)問題。理論模擬結(jié)果顯示,四元系A(chǔ)lInGaN作為壘層可以進(jìn)一步減少載流子泄露,增加空穴注入效率,減少極化場對器件性能的影響。在In0.08Ga0.92N/AlInGaN量子阱中的載流子濃度、有源層的輻射復(fù)合率、電流特性曲線和內(nèi)量子效率等方面都優(yōu)于InGaN/GaN基LED。無應(yīng)變AlInGaN壘層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的GaN壘層后,能夠得到高效的發(fā)光二極管,并且大電流注入下的"效率滾降"問題得到改善。

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【文章目錄】：
1 Introduction
2 Simulation Results
3 Summary



本文編號：3948031