發(fā)布時(shí)間：2024-03-28 03:23

　　隨著紅外探測(cè)技術(shù)的不斷發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)紅外探測(cè)器提出了越來越多的要求,如高分辨率、高工作穩(wěn)定性、低成本、小型化等,紅外探測(cè)器光敏芯片的制備技術(shù)隨之向大面陣、小間距方向不斷探索�；谑袌�(chǎng)需求,本文從技術(shù)發(fā)展的角度,研究采用離子注入技術(shù)、干法刻蝕技術(shù)制備臺(tái)面結(jié)型焦平面陣列,實(shí)現(xiàn)高性能、窄間距、小型化光敏芯片的制備,為未來高分辨率芯片的制備奠定技術(shù)基礎(chǔ)。文章介紹了128×128(15μm)、128×128(10μm)兩款器件的制備,兩款器件中測(cè)I-V性能良好,其中,128×128(15μm)器件杜瓦封裝組件后性能表現(xiàn)良好。

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

圖1離子注入工藝原理圖

從成結(jié)工藝發(fā)展技術(shù)路線來看,離子注入技術(shù)是繼擴(kuò)散技術(shù)之后發(fā)展起來的一種高精度可控成結(jié)技術(shù)。離子注入工藝對(duì)注入雜質(zhì)的高精度控制使其利于實(shí)現(xiàn)較大面積上薄而均勻的摻雜和更為理想的突變PN結(jié),引入較小的噪聲電流,實(shí)現(xiàn)高精度、高可重復(fù)性、高性能的材料摻雜[3],其精確設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)能力決定了器....

圖2器件制備工藝流程

取N型<111>面InSb晶片,經(jīng)清洗、表面腐蝕后,表面生長(zhǎng)一層掩膜材料用于將材料表面與外界環(huán)境隔離,采用離子注入工藝將摻雜元素Be注入N型InSb材料中,退火加熱激活注入雜質(zhì)、消除注入損傷,經(jīng)表面處理后形成具有良好表面狀態(tài)的PN結(jié)結(jié)構(gòu)材料;材料表面制備刻蝕掩膜,采用BCl3/A....

圖3焦平面陣列效果圖

按圖2描述工藝流程進(jìn)行器件流片,對(duì)器件進(jìn)行I-V測(cè)試,測(cè)試結(jié)果如圖4所示,開路電壓65～75mV,零偏電流7～10nA,反偏電壓測(cè)至-1V時(shí)仍能保持很好的性能曲線。將光敏芯片與電路芯片倒裝互連、封裝組件后進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試性能參數(shù)表2所示。組件參數(shù)性能表現(xiàn)良好。圖4128/1....

圖4128/15μm器件I-V特性圖

圖3焦平面陣列效果圖表2128/15μm組件測(cè)試結(jié)果Tab.2themainperformancesof128/15μmFPAs測(cè)試項(xiàng)測(cè)試結(jié)果峰值響應(yīng)率5.9×109峰值探測(cè)率1.48×1011盲元率/%0.036響應(yīng)率不均勻性/%5.6

本文編號(hào)：3940927