二硒化鍺(GeSe₂)作為一種層狀IV-VI族半導體,具有面內(nèi)各向異性結構及寬能帶間隙,表現(xiàn)出了獨特的光、電及熱學性能.本文利用偏振拉曼光譜和線性吸收譜分別對GeSe₂納米片的晶軸取向和能帶特性進行表征,并以此為依據(jù)采用微區(qū)I掃描系統(tǒng)研究了GeSe₂在共振能帶附近的光學非線性吸收機制.結果表明,GeSe₂中非線性吸收機制為飽和吸收與激發(fā)態(tài)吸收的疊加,且對入射光偏振與波長均有強烈的依賴.近共振激發(fā)(450 nm)條件下,激發(fā)態(tài)吸收對偏振的依賴程度比較大,隨著入射光偏振的不同,非線性調(diào)制深度可由4.6%變化至9.9%;而非共振激發(fā)(400 nm)時,該調(diào)制深度僅由7.0%變化至9.7%.同時,相比于飽和吸收,激發(fā)態(tài)吸收的偏振依賴程度受遠離共振激發(fā)波長的影響而變化更大.

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本文編號：3940194